マスクアライナ
製造会社 / 型番 | キャノン社製 / PLA-501(S) |
---|---|
仕様 | 厚さ0.7μm以下の不定形試料に対応 |
電子線描画装置
製造会社 / 型番 | 日本電子社製 / JBX6000SG |
---|---|
仕様 | 加速電圧:25/50kV 最小ビーム径:5nm ビーム電流:100pA-2nA |
反応性イオンエッチング装置
製造会社 / 型番 | サムコ社製 / RIE-1C |
---|---|
仕様 | エッチングガス:CF4,O2 高周波電力:150W |
イオン注入装置
製造会社 / 型番 | 日新電機社製 / NH-20SR-WMH |
---|---|
仕様 | 加速電圧:30-200kV 注入電流:5nm~100μA |
X線光電子分光装置
製造会社 / 型番 | VG社製 / ESCALAB210 |
---|---|
仕様 | 線源:Mg/AlツインアノードおよびAlモノクロX線源 Arスパッタ銃による試料エッチング可能 角度分解測定用マニュピレータ |
走査型電子顕微鏡
製造会社 / 型番 | 日本電子社製 / JSM-6301F |
---|---|
仕様 | 線源:冷陰極電界放射型電子銃 加速電圧:0.5~30kV 倍率:10~500,000 エネルギー分散型分光器による組成分析可能 |
電気炉
製造会社 / 型番 | 光洋リンドバーグ社製 / MODEL272-2 |
---|---|
仕様 | 温度範囲:400-1100℃ |
急速加熱理装置
製造会社 / 型番 | AG Associates社製 / Heatpulse 610 |
---|---|
仕様 | 温度範囲:400~1200℃ 昇温速度:200℃/sec |
薄膜X線回折装置
製造会社 / 型番 | RIGAKU社製 / ATX-G |
---|---|
仕様 | Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー,Geモノクロメーター付き 測定モード:θ-2θスキャン,ロッキングカーブ,逆格子面マッピング,膜面内φスキャン,φ-2θχスキャンなど |
原子間力顕微鏡
製造会社 / 型番 | Bruker社製 / AXS Dimension3100 |
---|---|
仕様 | スキャン領域:XY方向 約90μm,Z方向 約6μm 試料サイズ:最大150 mmφ-12 mmt 測定モード AFM,MFM,EFM,LFM,表面電位顕微鏡,電流像,リソグラフィー |
8元マグネトロンスパッタ装置
製造会社 / 型番 | – / – |
---|---|
仕様 | 2インチカソード8本 試料サイズ30 mm角 RF電源 500 W 2台 基板加熱:600℃ 1 kV Arイオンエッチング機構 試料交換室に8サンプルバンク可 |
8元MBE装置
製造会社 / 型番 | – / – |
---|---|
仕様 | 蒸着源:4cc蒸着源4個,2cc蒸着源2個 試料サイズ30 mm角 高圧電源3台 基板加熱:1000℃ 1kV Arイオンエッチング機構 25 kV RHEED表面観察機能 |
ECR-SIMSエッチング装置
製造会社 / 型番 | ECRイオンガン:入江工研社製 / RGB-114 SIMS検出器:PFEIFFER社製 / EDP400 |
---|---|
仕様 | ECRイオンガン:マイクロ波入力150 W,加速電圧600 V,イオン照射径30mm SIMS検出器:分析質量1-512 amu 試料角度調整,回転機構付き |
3元マグネトロンスパッタ装置
製造会社 / 型番 | 島津製作所 / HSR-522 |
---|---|
仕様 | 4インチカソード3本,RF電源500 W 2台 逆スパッタ機構,基盤回転,シャッター開閉機構による多層膜成長可能 |
露光プロセス装置一式
製造会社 / 型番 | ユニオン光学社製 / PEM800 |
---|---|
仕様 | 両面露光が可能 対応基板サイズ:最大4インチ 最小パターン:3.0μm |
エッチングプロセス一式
製造会社 / 型番 | ACCULINE社製 / QZ-B1501 |
---|---|
仕様 | 結晶異方性でのSiの微細加工が可能 対応基板サイズ:最大3インチ 温度分布:±1℃ |
薄膜プロセス群
製造会社 / 型番 | 芝浦メカトロニクス社製 / CFS-4ES-231 |
---|---|
仕様 | 多元金属スパッタ,逆スパッタが可能 膜厚分布:±5%以下 |
製造会社 / 型番 | 日本パリレン合同会社製 / POS2010 |
---|---|
仕様 | 生体適合性材料の形成が可能 |
製造会社 / 型番 | 三鷹光器社製 / NH-3N |
---|---|
仕様 | 三次元非接触計測が可能 分解能: 0.1×0.1×0.01μm |
レーザー描画装置
製造会社 / 型番 | Heidelberg Instruments社製 / DWL66FS |
---|---|
仕様 | 最小描画サイズ:0.6μm 最大描画サイズ:200mmX200mm 直描およびガラスマスク作製 |
フォトリソグラフィ装置
製造会社 / 型番 | sII NanoTechnology社製 / SMI2000 |
---|---|
仕様 | 加速電圧:30kV 二次電子観察分解能:5nm@30kV タングステンデポジション可能 |
分子線エピタキシー装置
製造会社 / 型番 | エイコーエンジニアリング社製 / – |
---|---|
仕様 | kセル8系統:Ga,As,In,Al,Si,Be 対応基板サイズ:最大2インチ RHEED付 |
電子ビーム蒸着装置
製造会社 / 型番 | アルバック社製 / EBX-10D |
---|---|
仕様 | 最大投入電力:5kW るつぼ数4,ハースライナー使用 |
スパッタ絶縁膜作製装置
製造会社 / 型番 | MESアフティ社製 / AFTEX-3420 |
---|---|
仕様 | 対応基板サイズ:最大3インチ 酸化膜,窒化膜用 |
ICPエッチング装置
製造会社 / 型番 | アルバック社製 / CE-300I |
---|---|
仕様 | 化合物エッチング 対応基板サイズ:最大6インチ基板 プロセスガス:Cl2 |
RIEエッチング装置
製造会社 / 型番 | サムコ社製 / RIE-10NR |
---|---|
仕様 | シリコン系エッチング 対応基板サイズ:最大8インチ プロセスガス:CF4,Ar,O2 |
走査型電子顕微鏡
製造会社 / 型番 | 日立ハイテクフィールディング社製 / S5200 |
---|---|
仕様 | 加速電圧:0.5kV~30kV 分解能:0.5nm(30kV) 倍率:~2,000,000 最大試料サイズ:5mmX9.5mm |
段差計
製造会社 / 型番 | アルバック社製 / Dektak150 |
---|---|
仕様 | 触針式 垂直分解能:10nm 測定距離:50μm~55mm |
超高密度大気圧プラズマ装置
製造会社 / 型番 | 富士機械製造株式会社 / – |
---|---|
仕様 | 大気圧プラズマ中のラジカルを用いた材料の表面処理(改質,洗浄) 使用ガス:Ar,N2,Ar+O2 電源:AC交流電源,9kV, 60 Hz |
超高密度大気圧プラズマ装置
製造会社 / 型番 | NUシステム会社 / – |
---|---|
仕様 | 有機溶媒を用いたナノグラフェン合成 液体分析,細胞改質が可能 電源9kV,60Hz 液体:アルコール類 500mL プロセスガスAr 3L/min |
大気圧IAMS(イオン付着質量分析器)
製造会社 / 型番 | キャノンアネルバ社製 / – |
---|---|
仕様 | 大気圧プラズマの質量分析が可能 検出質量数 1-410 |
真空紫外吸収分光計(原子状ラジカルモニター)
製造会社 / 型番 | NUシステム社製 / – |
---|---|
仕様 | プラズマ診断用,真空チャンバー壁面に設置,H,O,N,Cラジカル密度計測可 |
In-situ 電子スピン共鳴 (ESR)
製造会社 / 型番 | Bruker社製 / EMX Premium X |
---|---|
仕様 | 試料中に存在する不対電子のリアルタイム計測,温度可変不可(室温),気体分析可能 サンプルサイズ: 5 mm 幅以下,石英管,ガス分析可 |
二周波励起プラズマエッチング装置
製造会社 / 型番 | – / – |
---|---|
仕様 | 次世代ULSI製造プロセス開発に向けた新規代替ガス評価とその開発 プロセスガス:Fluorocarbon,Ar,N2,O2,H2 サンプルサイズ:Si 8インチウエハ |
60 MHz 励起プラズマCVD装置
製造会社 / 型番 | 東京エレクトロン / – |
---|---|
仕様 | プラズマCVD装置 プロセスガス:シラン,N2,水素,アンモニア,希ガス(Ar,He) サンプル:Si,8インチ |
ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置
製造会社 / 型番 | – / – |
---|---|
仕様 | 基板温度,ラジカル,マルチ分光器,FTIRを用いてエッチングの際に生成する温度,ラジカル密度,励起種,表面分析をIn-situで行う. プロセスガス:H2,N2,Ar,O2,He 基板温度:-10℃-60℃ サンプル:Si,4インチウエハ |
レーザー描画装置
製造会社 / 型番 | Heidelberg社製 / DWL66 uTAS |
---|---|
仕様 | MEMSの作製およびSiエッチング評価の際のマスク作製 最小描画サイズ:1.0 μm 直描およびガラスマスク50 mm x 50 mm |
磁気特性評価システム群
交番磁界勾配型磁力計
製造会社 / 型番 | – / – |
---|---|
仕様 | 感度10^-8emu,20kOe |
振動試料型磁力計
製造会社 / 型番 | – / – |
---|---|
仕様 | 感度10^-5emu,15kOe |
トルク磁力計
製造会社 / 型番 | – / – |
---|---|
仕様 | 2×10^-3erg,15kOe |
磁気光学スペクトロメータ
製造会社 / 型番 | – / – |
---|---|
仕様 | 2×10^-3deg,16kOe |
マスクアライナ群
製造会社 / 型番 | Suss MicroTec AG社製 / MA-6 |
---|---|
仕様 | 対応サイズ: Φ2inch – 150 mm,不定形小片:150 mm アライメント精度: ±0.5 m(表面アライメント), ±0.1 m(裏面アライメント), |
製造会社 / 型番 | Suss MicroTec AG社製 / MJB-3 |
---|---|
仕様 | 最大ウェーハサイズ: 3 inch(吸引モード) 4 inch(ソフトコンタクト) 照射範囲:3×3 inch 対応基板厚さ:4.5 mm |
製造会社 / 型番 | ナノテック社製 / LA410 |
---|---|
仕様 | 適応マスク:最大 5 inch 適応資料:最大Φ4 inch 有効露光範囲:Φ80 mm以上 |
スプレーコーター一式
製造会社 / 型番 | サンメイ社製 / DC110 |
---|---|
仕様 | 対応サイズ:最大 □220 mm 移動範囲:縦横300 mm 移動速度:10~200 mm/秒 粒子径:約5~15μm クリーンブース CLB内に設置 |
レーザ描画装置一式
製造会社 / 型番 | Heidelberg社製 / μPG101-UV |
---|---|
仕様 | 対応基板:100 ×100 mm 加工精度:1 μm 対応データ:DXF,CIF,BMP |
スパッタリング装置一式
製造会社 / 型番 | キャノンアネルバ社製 / E-200S |
---|---|
仕様 | ターゲット:SiO2,Cr,Au 膜厚分布:Φ100 mm内±3% 基板ホルダー:Φ200 mm 基板加熱:Max 300℃(水冷付) |
3次元レーザ・リソグラフィシステム一式
製造会社 / 型番 | Nanoscribe社製 / フォトニック・プロフェッショナル |
---|---|
仕様 | 2次元加工精度:100 nm 3次元加工精度:150 nm 対応データ:DXF, STL |
製造会社 / 型番 | KISCO社製 / SCLEAD3CD2000 |
---|---|
仕様 | 設計温度:100 ℃ 設計圧力:20 MPa 外寸:900×600×1200 mm |
光三次元造形装置一式
製造会社 / 型番 | Object社製 / EDEN250 |
---|---|
仕様 | 造形精度:16μm 造形サイズ:260 mm×260 mm×200 mm |
ナノインプリント装置一式
製造会社 / 型番 | SCIVAX社製 / X-300 BVU-ND |
---|---|
仕様 | 形式:熱式,UV式 最大ワークサイズ:Φ150 mm 最大荷重:50 KN 最高仕様温度:250℃,650℃ UV機能:波長 365 nm/385 nm 有効照射面積:□100 mm |
パリレンコーティング装置一式
製造会社 / 型番 | KISCO社製 / DACS-LAB |
---|---|
仕様 | 蒸着チャンバー寸法:ID300×H350 mm |
小型微細形状測定機一式
製造会社 / 型番 | 小坂研究所社製 / ET200 |
---|---|
仕様 |
蛍光バイオイメージング装置一式
共焦点レーザ顕微鏡システム
製造会社 / 型番 | ニコン社製 / A1Rsi-N |
---|---|
仕様 | 蛍光励起レーザ: 405 nm,488 nm,561 nm,635 nm 対物レンズ:100倍,10倍,20倍 |
ICPエッチング装置一式
製造会社 / 型番 | サムコ社製 / RIE-800 |
---|---|
仕様 | ウェーハサイズ:6 inch ボッシュプロセス対応 加工速度:50 m/min |
ECRスパッタリング装置一式
製造会社 / 型番 | エリオニクス社製 / EIS-230S |
---|---|
仕様 | ターゲットサイズ:100 mm×80 mm 加速電圧:100 V~3000 V イオンビーム有効径:Φ20 mm |
電鋳装置一式
製造会社 / 型番 | 日立協和エンジニアリング社製 / HIKEP-M |
---|---|
仕様 | メッキ種類:金 ウェーハサイズ:Φ3-12 inch ウェハ材質:Si/ガラス等 |
高精度電子線描画装置一式
製造会社 / 型番 | 日本電子㈱社製 / SPG-724 |
---|---|
仕様 | 補償分解能:1.2 nm(30kV) 倍率:×10~×1,000,000 試料室:最大200 mm JSM-7000FKに搭載 |
SEM用断面試料作製装置
製造会社 / 型番 | JEOL社製 / SM-09010 |
---|---|
仕様 | 最大搭載試料サイズ: イオンビーム径:500 μm 試料移動範囲:±3 mm ×±3 mm |
デジタルマイクロスコープ一式
製造会社 / 型番 | KEYENCE社製 / VK-9700 |
---|---|
仕様 | 分解能:高さ方向 0.01 μm 水平方向 0.13 μm 最大観察倍率:3,000倍 測定用光源:波長 408 nm |