超高精度電子ビーム描画装置
製造会社 / 型番 | エリオニクス社製 / ELS-F125 |
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仕様 | 加速電圧:125kV 試料サイズ:最大6インチ |
製造会社 / 型番 | エリオニクス社製 / ELS-7000HM |
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仕様 | 加速電圧:100kV 試料サイズ:最大6インチ |
マスクアライナ
製造会社 / 型番 | ミカサ社製 / MA-20 |
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仕様 | コンタクト露光 試料サイズ:最大4インチ マスクサイズ:最大5インチ |
レーザー直接描画装置
製造会社 / 型番 | ネオアーク社製 / DDB-201 |
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仕様 | 光源:375nm半導体レーザー 描画エリア:最大50mm 試料サイズ:最大6インチ |
真空蒸着装置
製造会社 / 型番 | サンバック社製 / ED-1500R |
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仕様 | 蒸着源:抵抗加熱3元、EB3元 基板加熱可 |
プラズマCVD装置
製造会社 / 型番 | サムコ社製 / PD-220ESN |
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仕様 | 試料種類:SiO2、SiN 試料サイズ:最大4インチ |
液体ソースプラズマCVD装置
製造会社 / 型番 | サムコ社製 / PD-10C1 |
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仕様 | 試料種類:SiO2他 キャリアガス:N2,He,Ar,H2 試料サイズ:最大4インチ |
ヘリコンスパッタリング装置
製造会社 / 型番 | アルバック社製 / PD-10C1MPS-4000C1/HC1 |
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仕様 | 試料種類:3元、Au,Ag,Cr,Ti,SiO2他 |
イオンビームスパッタ装置
製造会社 / 型番 | アルバック社製 / IBS-6000 |
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仕様 | 試料種類:4元、Ni,Cr,SiO2、W-Si他 |
原子層堆積装置
製造会社 / 型番 | ピコサン社製 / SUNALE-R |
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仕様 | 試料種類:SiO2、TiO2、Al2O3、Nb他 |
ICPドライエッチング装置
製造会社 / 型番 | 住友精密社製 / SPM-200 |
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仕様 | 使用ガス:SF6,C4F8、CF4、Ar、O2、CH4 試料サイズ:最大4インチ |
ICP高密度プラズマエッチング装置群
製造会社 / 型番 | サムコ社製 / RIE-101iPH |
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仕様 | 使用ガス:SF6,C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8 試料サイズ:最大4インチ |
製造会社 / 型番 | サムコ社製 / RIE-101iHS |
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仕様 | 使用ガス:Xe、Ar、O2、SiCl4、Cl2 試料サイズ:最大4インチ |
反応性イオンエッチング装置
製造会社 / 型番 | サムコ社製 / RIE-10NRV |
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仕様 | 使用ガス:CF4、Ar、O2、CHF3 試料サイズ:最大8インチ |
ドライエッチング装置
製造会社 / 型番 | アルバック社製 / NLD-500 |
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仕様 | 使用ガス:SF6、C4F8、CF4、CHF3,Ar、O2、C3F8 試料サイズ:最大4インチ |
イオンミリング装置
製造会社 / 型番 | アルバック社製 / IBE-6000S |
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仕様 | 使用ガス:Ar 試料サイズ:最大4インチ |
真空紫外露光装置
製造会社 / 型番 | エヌ工房 / フォトクリエーターPC-01-H |
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仕様 | 試料サイズ:最大11インチ |
高分解能電界放射型走査型電子顕微鏡
製造会社 / 型番 | 日本電子社製 / JSM-6700FT |
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仕様 | EDS機能、2探針マイクロプローブ装備 |
電子ビーム描画装置
製造会社 / 型番 | エリオニクス社製 / ELS-3700 |
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仕様 | 加速電圧:30kV LaB6 試料サイズ:最大4インチ 円弧スキャン可 |
製造会社 / 型番 | エリオニクス社製 / ELS-7300 |
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仕様 | 加速電圧:30kV ZrO/W 試料サイズ:最大5インチ 円弧スキャン可 |
両面マスクアライナ
製造会社 / 型番 | ズースマイクロテック社製 / MA-6 |
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仕様 | 両面、露光精度0.6ミクロン 試料サイズ:最大6インチ |
ECR加工装置
製造会社 / 型番 | エリオニクス社製 / EIS-200ER |
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仕様 | 使用ガス:CF4、O2、Ar 試料サイズ:最大4インチ |
ICP加工装置
製造会社 / 型番 | エリオニクス社製 / EIS-700 |
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仕様 | 使用ガス:CF4、O2、Ar 試料サイズ:20mm角4枚 |
超高真空5源ヘリコンスパッタ
製造会社 / 型番 | 菅製作所 / Av028 |
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仕様 | 試料種類:Cu、Ta、FeNi、IrMn、CoFe |
ALD製膜装置
製造会社 / 型番 | Cambride NanoTech社製 / Savannah 100 |
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仕様 | 成膜材料:HfO2, Al2O3, ZrO2 |
スパッタ
製造会社 / 型番 | アネルバ:社製 / SPF-210H |
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仕様 | 成膜材料:1元、Au、Ni、Al、Cu DC・RF・逆RF |
EB加熱・抵抗加熱蒸着装置
製造会社 / 型番 | アルバック社製 / EBX-8C |
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仕様 | 蒸着源:EB4元・抵抗加熱2元 蒸着材料:Ti, Au, Al, Pd, Co等 |
製造会社 / 型番 | 菅製作所 |
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仕様 | 蒸着源:EB4元・抵抗加熱1元 蒸着材料:Si, Al, Fe, Mo, Au |
FIB加工装置
製造会社 / 型番 | エリオニクス社製 / EIP-3300 |
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仕様 | 加速電圧:30kV Ga 試料サイズ:ベクタスキャン可、WCOデポ可 |
環境試験器
製造会社 / 型番 | エスペック社製 / SH-221 |
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仕様 | 温度範囲-20℃~+150℃・湿度範囲30 ~ 95% |
デジタル顕微鏡
製造会社 / 型番 | ハイロックス社製 / KH-7700 |
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仕様 | 倍率:2500 3Dプロファイル・計測・表示 |
太陽電池評価システム
製造会社 / 型番 | ワコム電創社製 / WXS-156S-L2,AM1.5GMM |
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仕様 | JIS、IEC規格準拠 CLASS AAA 照射強度 : 1(sun) 基板サイズ:最大6インチ |
エリプソメータ
製造会社 / 型番 | 日本分光社製 / M-500S |
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仕様 | Xe光源 測定波長:350~800nm 試料水平置き |
ナノカーボン成長炉
製造会社 / 型番 | Nano Device社製 / Easy tube sysytem |
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仕様 | 基板サイズ:最大2cmx2cm 成長温度:最大1000℃ 成長ガス:メタン・エチレン・アルゴン・水素, 大気圧 |
コンパクトスパッタ装置
製造会社 / 型番 | アルバック製 / ACS-4000-C3-HS |
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仕様 | 試料種類:SiO2、Au,Cr等 基板サイズ:10mm~4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで) 基板加熱機構有り(~550℃) |