_京都大学 学際融合教育研究推進センター/ナノテクノロジーハブ拠点 – 装置リスト
１．研究支援に提供する設備のうち、主たる設備
高速高精度電子ビーム描画装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)エリオニクス社製 / ELS-F125HS |
| 仕様 |
加速電圧125kV,100kV,75kV,50kV,25kV
最少電子ビーム径 1.7nm(於125kV)
描画最小線幅 5nm(於125kV) |
露光装置（ステッパー）
| 製造会社 / 型番 |
(株)ニコン社製 / NSR-2205i11D |
| 仕様 |
解像度 0.35μm以下
露光光源 i線(365nm) |
レーザー直接描画装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)日本レーザー社製 / DWL2000 |
| 仕様 |
最大基板サイズ 200×200m㎡
最小描画サイズ 0.6μm |
高速マスクレス露光装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)ﾅﾉｼｽﾃﾑｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ社製 / D-light DL-1000GS/KCH |
| 仕様 |
光源:LED 最小画素:１μm
グレースケール露光(最大256階調)可能 |
両面マスクアライナー
| 製造会社 / 型番 |
ズース・マイクロテック社製 / MA6 BSA SPEC-KU/3 |
| 仕様 |
アライメント精度 ±0.5μm(表面) ±0.1μm(裏面) |
紫外線露光装置
| 製造会社 / 型番 |
ミカサ(株)社製 / MA-10型 |
| 仕様 |
φ4インチまでの不定形試料に対応
実験用マスクアライナ |
液滴吐出描画装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)ＳＩＪテクノロジ社製 / ST050 |
| 仕様 |
最小ライン幅 0.6マイクロメートル
付属ソフトウェアにより複雑なパターンを製作可能 |
厚膜フォトレジスト用スピンコーティング装置
| 製造会社 / 型番 |
ｽﾞｰｽ・ﾏｲｸﾛﾃｯｸ社製 / DELTA80T3/VP SPEC-KU |
| 仕様 |
基板サイズ φ6″、φ4″ウエハ、小片基板 |
レジスト塗布装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)カナメックス社製 / KRC-150CBU |
| 仕様 |
基板サイズ φ2～6″ □4～5″ |
スプレーコータ
| 製造会社 / 型番 |
ウシオ電機(株)社製 / USC-2000ST |
| 仕様 |
基板サイズ φ4～6″(塗布領域 □4″) |
レジスト現像装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)カナメックス社製 / KD-150CBU |
| 仕様 |
基板サイズ φ2～6″ □4～5″
アルカリ現像 |
ウエハスピン洗浄装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)カナメックス社製 / KSD-150CBU |
| 仕様 |
基板サイズ φ2～6″ □4～5″ |
有機現像液型レジスト現像装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)カナメックス社製 / KD(EB)-150CBU |
| 仕様 |
基板サイズ Wafer φ4″、φ6″、30mm□、40mm□
有機系現像、IPAリンス |
ウェハ汚染計測装置
| 製造会社 / 型番 |
ｱｼﾞﾚﾝﾄ･ﾃｸﾉﾛｼﾞｰ(株)社製 / Agilent7700s ICP-MSｼｽﾃﾑ他 |
| 仕様 |
感度(Mcps/ppm) Li (7) : 50 Y (89) : 160 Tl (205) : 80 |
多元スパッタ装置（仕様Ａ）
| 製造会社 / 型番 |
キャノンアネルバ(株)社製 / EB1100 |
| 仕様 |
カソード 非磁性体φ4″PMC ｘ 4基
基板トレイ φ4″Siウエハ x 3枚用 φ6″Siウエハ x 1枚用 ガス供給 Ar，O2 |
多元スパッタ装置（仕様Ｂ）
| 製造会社 / 型番 |
キャノンアネルバ(株)社製 / EB1100 |
| 仕様 |
カソード 非磁性体φ4″PMC ｘ3基
基板トレイ φ4″Siウエハ x 3枚用 φ6″Siウエハ x 1枚用 ガス供給 Ar，O2 |
電子線蒸着装置
| 製造会社 / 型番 |
キャノンアネルバ(株)社製 / EB1200 |
| 仕様 |
基板サイズ φ6″ウエハ x 3枚
蒸発源 10kW 4連E型電子銃（22ml x 4） 基板加熱 300℃（ハロゲンランプ） |
真空蒸着装置1
| 製造会社 / 型番 |
(株)サンバック社製 / RD-1400 |
| 仕様 |
抵抗加熱方式 電極数量 3式(切り替え方式） 基板 φ4インチおよびφ6
インチウェハ 基板加熱温度最高350℃ |
真空蒸着装置2
| 製造会社 / 型番 |
(株)サンバック社製 / RD-1400 |
| 仕様 |
抵抗加熱方式 電極数量 3式(切り替え方式） 基板 φ4インチおよびφ6
インチウェハ 基板加熱温度最高350℃ |
プラズマCVD装置
| 製造会社 / 型番 |
住友精密工業(株)社製 / MPX-CVD |
| 仕様 |
酸化シリコン成膜 基板 φ6、φ4インチウェハー プロセスガス Ar O2
C4F8 液体材料 TEOS |
熱酸化炉
| 製造会社 / 型番 |
光洋ｻｰﾓｼｽﾃﾑ(株)社製 / MT-8X28-A |
| 仕様 |
基板 最大φ8インチウェハ 常用最高温度 1000℃ 乾燥あるいは湿潤状態のN2 O2雰囲気 |
深堀りドライエッチング装置１
| 製造会社 / 型番 |
サムコ(株)社製 / RIE-800iPB-KU |
| 仕様 |
ボッシュプロセス
基板サイズ φ4″ウエハ 用途：Si |
深堀りドライエッチング装置２
| 製造会社 / 型番 |
サムコ(株)社製 / RIE-800iPB-KU |
| 仕様 |
ボッシュプロセス
基板サイズ φ4″ウエハ 用途：Si |
磁気中性線放電ドライエッチング装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)アルバック社製 / NLD-570 |
| 仕様 |
基板サイズ φ6″ウエハ
用途石英，ガラス，水晶，金属酸化物 ほか |
ドライエッチング装置
| 製造会社 / 型番 |
サムコ(株)社製 / RIE-10NR-KF |
| 仕様 |
基板サイズ MAX φ8″ウエハ x 1枚
用途SiO2，Si3N4，アッシング ほか |
電子サイクロトロン共鳴イオンビーム加工装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)エリオニクス社製 / EIS-1200 |
| 仕様 |
試料サイズ φ6インチ,φ2.5インチ,□75mm×7mm
用途：Si、磁性体など |
シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム
| 製造会社 / 型番 |
住友精密工業(株)社製 / MLT-SLE-Ox |
| 仕様 |
基板 最大φ6インチ
用途：フッ化水素（HF）ガスによるシリコン酸化膜ドライエッチング |
シリコン犠牲層ドライエッチングシステム
| 製造会社 / 型番 |
XACTIX社製 / Xetch X3B |
| 仕様 |
基板 最大φ6インチ
用途：フッ化キセノン(XeF2)によるシリコンドライエッチング |
赤外フェムト秒レーザ加工装置
| 製造会社 / 型番 |
AVESTA PROJECT社製 / – |
| 仕様 |
1.23μmの短パルスレーザーの集光による精密加工 |
レーザアニール装置
| 製造会社 / 型番 |
AOV(株)社製 / LAEX-1000 |
| 仕様 |
KrFレーザーのマスクのパターン縮小投影による表面のアニーリング
分解能 5.3 um Lines＆spaces |
紫外線ナノインプリントボンドアライメント装置
| 製造会社 / 型番 |
ｽﾞｰｽ･ﾏｲｸﾛﾃｯｸ社製 / MA／BA Gen3 SPEC-KU |
| 仕様 |
基板サイズ 1″to 200mm
アライメント精度 ±0.25μm(表面) ±1.0μm(裏面) |
基板接合装置
| 製造会社 / 型番 |
ｽﾞｰｽ･ﾏｲｸﾛﾃｯｸ社製 / SB8e SPEC－K |
| 仕様 |
基板サイズ 150mm
thermo-compression, anodic, fusion, adhesive bondingなど |
ナノインプリントシステム
| 製造会社 / 型番 |
Obducat社製 / Eitre3 |
| 仕様 |
基板サイズ φ3
インプリント方式 STU/熱/UV、全面一括
最高到達温度（熱インプリント時） 250℃ |
赤外透過評価検査／非接触厚み測定機
| 製造会社 / 型番 |
(株)モリテックス社製 / IRise-T |
| 仕様 |
基板 最大φ8インチウェハー
画像分解能 0.26μm/画素
厚さ分解能 0.01μm以下( 5～150μm ) |
レーザダイシング装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)東京精密社製 / Mahoh Dicer ML200 |
| 仕様 |
ウエハサイズ ：φ2”～φ8″
高速切断可(300mm/sec) |
ダイシングソー
| 製造会社 / 型番 |
(株)ディスコ社製 / DAD322 |
| 仕様 |
ワークサイズ MAX φ6″ウエハ
加工対象 Si，セラミックス，PZT，LiTaO3，ガラス，石英，複合材 ほか |
真空マウンター
| 製造会社 / 型番 |
日本電気(株)社製 / VTL-201 |
| 仕様 |
基板サイズ Wafer φ6″以下 |
紫外線照射装置
| 製造会社 / 型番 |
（株）テクノビジョン社製 / LED-4082 |
| 仕様 |
UV硬化フィルムなどの粘着力を低下させ、 ダイボンディング時のピックアップ性を高める装置
基板サイズ Wafer φ6″以下 |
エキスパンド装置
| 製造会社 / 型番 |
（株）テクノビジョン社製 / TEX-21BG GR-5 |
| 仕様 |
基板サイズ Wafer φ6″以下 |
ウェッジワイヤボンダ
| 製造会社 / 型番 |
ウエスト・ボンド社製 / ﾓﾃﾞﾙ7476 |
| 仕様 |
ボンディング方式 US/TC/サーモソニック
対応ワイヤ 18～50μmφまでの金線及びアルミ線 |
ボールワイヤボンダ
| 製造会社 / 型番 |
ウエスト・ボンド社製 / ﾓﾃﾞﾙ7700D |
| 仕様 |
ボンディング方式 US/TC/サーモソニック
対応ワイヤ 18～50μmφまでの金線 |
ダイボンダ
| 製造会社 / 型番 |
ウエスト・ボンド社製 / ﾓﾃﾞﾙ7200CR |
| 仕様 |
ボンディング方式 荷重圧着方式
最小チップサイズ □0.2mm |
集束イオンビーム/走査電子顕微鏡
| 製造会社 / 型番 |
エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)社製 / NVision40PI |
| 仕様 |
高性能FIBとFE-SEMの複合装置
EDS/EBSD搭載 |
超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
| 製造会社 / 型番 |
(株)日立ハイテクノロジーズ社製 / SU8000 |
| 仕様 |
像分解能 1.0nm@15kV 1.4nm@1kV
取得可能像 二次電子像,組成像,透過像,透過暗視野像
試料サイズ Max100mmφ,高さ30mm以下 |
分析走査電子顕微鏡
| 製造会社 / 型番 |
(株)日立ハイテクノロジーズ社製 / SU6600 |
| 仕様 |
分解能 二次電子分解能：1.2nm
反射電子分解能：3.0nm
EDX、EBSD、IRカメラ搭載 |
卓上顕微鏡(SEM)
| 製造会社 / 型番 |
(株)日立ハイテクノロジーズ社製 / Miniscope TM3000 |
| 仕様 |
倍率 15～30,000倍
試料最大寸法 φ70mm |
高速液中原子間力顕微鏡
| 製造会社 / 型番 |
(株)生体分子計測研究所社製 / MODEL NLV-KS |
| 仕様 |
推奨凹凸高さ 30 nm以下
試料形状例 φ1.5mm雲母板表面に吸着
測定環境 液中観察 |
走査型プローブ顕微鏡システム
| 製造会社 / 型番 |
JPKｲﾝｽﾂﾙﾒﾝﾂAG社製 / NanoWizardⅢ NW3-XS-0他 |
| 仕様 |
大気中または液体中でのAFM計測
AFM測定と光学測定を同時実行可能 |
共焦点レーザー走査型顕微鏡
| 製造会社 / 型番 |
オリンパス(株)社製 / FV1000 |
| 仕様 |
励起レーザー光源波長405 nm, 473 nm, 559 nm, 635 nm |
3D測定ﾚｰｻﾞｰ顕微鏡
| 製造会社 / 型番 |
オリンパス(株)社製 / OLS4000-SAT |
| 仕様 |
平面測定精度 繰り返し性：3σn-1=0.02um(100X)
正確さ:測定値の±2%
高さ測定精度 繰り返し性：σn-1=0.012um(50X)
正確さ:0.2+L/100μm以下（L=測定長μm） |
全反射励起蛍光イメージングシステム
| 製造会社 / 型番 |
オリンパス(株)社製 / – |
| 仕様 |
励起レーザー光源：488 nm LD, 561 nm LD |
長時間撮影蛍光イメージングシステム
| 製造会社 / 型番 |
オリンパス(株)社製 / – |
| 仕様 |
5次元(XYZTλ)の画像取得が可能 |
X線回折装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)リガク社製 / SmartLab-9K |
| 仕様 |
試料サイズ 最大φ8インチ
組成分析、方位・配向分析、結晶性評価、格子緩和評価、格子歪・残留応力評価等の測定可能 |
分光エリプソメーター
| 製造会社 / 型番 |
大塚電子(株)社製 / FE-5000 |
| 仕様 |
測定膜厚範囲 0.1nm～1μm
測定波長範囲 250nm～2000nm
サンプルサイズ 200mmx 200mm以上 |
三次元粒子トラッキングシステム
| 製造会社 / 型番 |
JPKｲﾝｽﾂﾙﾒﾝﾂAG社製 / Nano Tracker NT-O-001他 |
| 仕様 |
2本のレーザービームによる三次元光トラップが可能
最小Force検出 0.3 pN以下 |
ゼータ電位・粒径測定システム
| 製造会社 / 型番 |
大塚電子(株)社製 / ELSZ-2Plus |
| 仕様 |
測定範囲 ゼータ電位：-200～200mV
電気移動度：-20×10-4～20×10-4cm2/V・s
粒子径：0.6nm～7μm |
ダイナミック光散乱光度計
| 製造会社 / 型番 |
大塚電子(株)社製 / DLS-8000DH |
| 仕様 |
動的光散乱法：粒径分布、拡散係数分布測定
静的光散乱法：第二ビリアル係数・重量平均分子量測定・慣性半径の見積もり |
触針式段差計（CR)
| 製造会社 / 型番 |
(株)アルバック社製 / Dektak150 |
| 仕様 |
垂直分解能(最高) 0.1nm
測定距離 50μm～55mm
サンプルステージサイズ直径 150mm |
触針式段差計（分析・評価）
| 製造会社 / 型番 |
(株)アルバック社製 / Dektak150 |
| 仕様 |
垂直分解能(最高) 0.1nm
測定距離 50μm～55mm
サンプルステージサイズ直径 150mm |
マイクロシステムアナライザ
| 製造会社 / 型番 |
ポリテック社製 / MSA-500-TPM2-20-D-KU |
| 仕様 |
MEMSデバイスの動的特性(面外,面内)および表面形状を3次元で測定 |
光ヘテロダイン微小振動測定装置
| 製造会社 / 型番 |
ネオアーク(株)社製 / MLD-230D-200K |
| 仕様 |
測定方向 縦振動、横振動の方向を切り替えて測定
測定周波数 1kHz～200MHｚ |
超微小材料機械変形評価装置
| 製造会社 / 型番 |
(株)エリオニクス社製 / ENT-2100 |
| 仕様 |
最大試料サイズ φ50x t3.5mm
荷重範囲 1μN～100ｍN |
プローバ
| 製造会社 / 型番 |
(株)日本ﾏｲｸﾛﾆｸｽ社製 / Model 708fT |
| 仕様 |
マニュアルタイプ
ウエハサイズ ～φ200mm |
真空プローバ
| 製造会社 / 型番 |
カスケード・マイクロテック社製 / PLV50 |
| 仕様 |
チャックサイズ：φ150mm，φ100mm，小片基板 ほか
チャック温度：-40～+200℃
真空チャンバー 制御圧力：10～10-2Pa |
パワーデバイスアナライザ
| 製造会社 / 型番 |
アジレント・テクノロジー(株)社製 / B1505A |
| 仕様 |
IV測定 電流: 10 fA～1 A 電圧: 2μV～200 V |
インピーダンスアナライザ
| 製造会社 / 型番 |
アジレント・テクノロジー(株)社製 / 4294A |
| 仕様 |
基本インピーダンス確度 ±0.08%
周波数 40Hz～110MHz |
セルテストシステム
| 製造会社 / 型番 |
ｿｰﾗﾄﾛﾝ社製 / 1470E |
| 仕様 |
インピーダンスアナライザと8チャンネルポテンショ/ガルバノスタットの構成
8チャネル独立測定可能 |
マニュアルプローバ
| 製造会社 / 型番 |
(株)アポロウエーブ社製 / α150 |
| 仕様 |
チャックサイズ6インチ(室温～300℃)
プローブ位置合わせのストローク量: X,Y,Z各±5 mm |
RFプローブキット
| 製造会社 / 型番 |
(株)アポロウエーブ社製 / ZPROBE |
| 仕様 |
マニュアルプローバと組み合わせて使用 |
ネットワークアナライザ
| 製造会社 / 型番 |
(株)アポロウエーブ社製 / – |
| 仕様 |
マニュアルプローバと組み合わせて使用 |
半導体パラメータアナライザ
| 製造会社 / 型番 |
(株)アポロウエーブ社製 / 4200-SCS |
| 仕様 |
マニュアルプローバと組み合わせて使用 |
２．研究支援に提供する設備のうち、従たる設備(平成25年度より共用開始)
ＥＢ露光装置
| 製造会社 / 型番 |
東京テクノロジー社製 / BEAM DRAW |
| 仕様 |
描画方式：ラスター描画
最小ビーム径：0.1μm |
ステッパ
| 製造会社 / 型番 |
大日本科研社製 / KS-7000 |
| 仕様 |
可変N.A.および厚膜レジストに対応した高深度露光，解像度1‐2.5μm
露光エリア直径20-50㎜ |
移動マスク紫外線露光装置
| 製造会社 / 型番 |
大日本科研社製 / MUM-0001 |
| 仕様 |
4インチウェハ
三次元加工が可能 |
両面マスクアライナ露光装置
| 製造会社 / 型番 |
ユニオン光学社製 / PEM-800 |
| 仕様 |
4インチウェハ，5インチ角マスク
両面アライメント機能 |
ナノインプリント装置
| 製造会社 / 型番 |
マルニ社製 / TP-32937 |
| 仕様 |
4インチウェハ |
パリレン成膜装置
| 製造会社 / 型番 |
SCS社製 / LABCOTER PDS2010 |
| 仕様 |
蒸着室有効内容積：215mm（径）×270mm（高さ） |
ICP-RIE装置
| 製造会社 / 型番 |
ULVAC社製 / NE-730 |
| 仕様 |
使用ガス：SF6，CF4，C4F8，O2，Ar
4インチウェハ |
簡易RIE装置
| 製造会社 / 型番 |
サムコ社製 / FA-1 |
| 仕様 |
使用ガス：CF4，O2
チラー付属 |
ウエハ接合装置
| 製造会社 / 型番 |
ボンドテック社製 / WAP-100 |
| 仕様 |
4インチウェハ，高精度アライメント
常温接合・陽極接合 |
ダイシング装置
| 製造会社 / 型番 |
ディスコ社製 / DAD322 |
| 仕様 |
6インチウェハまで対応
1.5ｋWエアースピンドル |
