_京都大学 学際融合教育研究推進センター/ナノテクノロジーハブ拠点 – 装置リスト

 

1.研究支援に提供する設備のうち、主たる設備

高速高精度電子ビーム描画装置
製造会社 / 型番 (株)エリオニクス社製 / ELS-F125HS
仕様 加速電圧125kV,100kV,75kV,50kV,25kV
最少電子ビーム径 1.7nm(於125kV)
描画最小線幅 5nm(於125kV)
露光装置(ステッパー)
製造会社 / 型番 (株)ニコン社製 / NSR-2205i11D
仕様 解像度 0.35μm以下
露光光源 i線(365nm)
レーザー直接描画装置
製造会社 / 型番 (株)日本レーザー社製 / DWL2000
仕様 最大基板サイズ 200×200m㎡
最小描画サイズ 0.6μm
高速マスクレス露光装置
製造会社 / 型番 (株)ナノシステムソリューションズ社製 / D-light DL-1000GS/KCH
仕様 光源:LED 最小画素:1μm
グレースケール露光(最大256階調)可能
両面マスクアライナー
製造会社 / 型番 ズース・マイクロテック社製 / MA6 BSA SPEC-KU/3
仕様 アライメント精度 ±0.5μm(表面) ±0.1μm(裏面)
紫外線露光装置
製造会社 / 型番 ミカサ(株)社製 / MA-10型
仕様 φ4インチまでの不定形試料に対応
実験用マスクアライナ
液滴吐出描画装置
製造会社 / 型番 (株)SIJテクノロジ社製 / ST050
仕様 最小ライン幅 0.6マイクロメートル
付属ソフトウェアにより複雑なパターンを製作可能
厚膜フォトレジスト用スピンコーティング装置
製造会社 / 型番 ズース・マイクロテック社製 / DELTA80T3/VP SPEC-KU
仕様 基板サイズ φ6″、φ4″ウエハ、小片基板
レジスト塗布装置
製造会社 / 型番 (株)カナメックス社製 / KRC-150CBU
仕様 基板サイズ φ2~6″ □4~5″
スプレーコータ
製造会社 / 型番 ウシオ電機(株)社製 / USC-2000ST
仕様 基板サイズ φ4~6″(塗布領域 □4″)
レジスト現像装置
製造会社 / 型番 (株)カナメックス社製 / KD-150CBU
仕様 基板サイズ φ2~6″ □4~5″
アルカリ現像
ウエハスピン洗浄装置
製造会社 / 型番 (株)カナメックス社製 / KSD-150CBU
仕様 基板サイズ φ2~6″ □4~5″
有機現像液型レジスト現像装置
製造会社 / 型番 (株)カナメックス社製 / KD(EB)-150CBU
仕様 基板サイズ Wafer φ4″、φ6″、30mm□、40mm□
有機系現像、IPAリンス
ウェハ汚染計測装置
製造会社 / 型番 アジレント・テクノロジー(株)社製 / Agilent7700s ICP-MSシステム他
仕様 感度(Mcps/ppm) Li (7) : 50 Y (89) : 160 Tl (205) : 80
多元スパッタ装置(仕様A)
製造会社 / 型番 キャノンアネルバ(株)社製 / EB1100
仕様 カソード 非磁性体φ4″PMC x 4基
基板トレイ φ4″Siウエハ x 3枚用 φ6″Siウエハ x 1枚用 ガス供給 Ar,O2
多元スパッタ装置(仕様B)
製造会社 / 型番 キャノンアネルバ(株)社製 / EB1100
仕様 カソード 非磁性体φ4″PMC x3基
基板トレイ φ4″Siウエハ x 3枚用 φ6″Siウエハ x 1枚用 ガス供給 Ar,O2
電子線蒸着装置
製造会社 / 型番 キャノンアネルバ(株)社製 / EB1200
仕様 基板サイズ φ6″ウエハ x 3枚
蒸発源 10kW 4連E型電子銃(22ml x 4) 基板加熱 300℃(ハロゲンランプ)
真空蒸着装置1
製造会社 / 型番 (株)サンバック社製 / RD-1400
仕様 抵抗加熱方式 電極数量 3式(切り替え方式) 基板 φ4インチおよびφ6
インチウェハ 基板加熱温度最高350℃
真空蒸着装置2
製造会社 / 型番 (株)サンバック社製 / RD-1400
仕様 抵抗加熱方式 電極数量 3式(切り替え方式) 基板 φ4インチおよびφ6
インチウェハ 基板加熱温度最高350℃
プラズマCVD装置
製造会社 / 型番 住友精密工業(株)社製 / MPX-CVD
仕様 酸化シリコン成膜 基板 φ6、φ4インチウェハー プロセスガス Ar O2
C4F8  液体材料 TEOS
熱酸化炉
製造会社 / 型番 光洋サーモシステム(株)社製 / MT-8X28-A
仕様 基板 最大φ8インチウェハ 常用最高温度 1000℃ 乾燥あるいは湿潤状態のN2 O2雰囲気
深堀りドライエッチング装置1
製造会社 / 型番 サムコ(株)社製 / RIE-800iPB-KU
仕様 ボッシュプロセス
基板サイズ φ4″ウエハ 用途:Si
深堀りドライエッチング装置2
製造会社 / 型番 サムコ(株)社製 / RIE-800iPB-KU
仕様 ボッシュプロセス
基板サイズ φ4″ウエハ 用途:Si
磁気中性線放電ドライエッチング装置
製造会社 / 型番 (株)アルバック社製 / NLD-570
仕様 基板サイズ φ6″ウエハ
用途石英,ガラス,水晶,金属酸化物 ほか
ドライエッチング装置
製造会社 / 型番 サムコ(株)社製 / RIE-10NR-KF
仕様 基板サイズ MAX φ8″ウエハ x 1枚
用途SiO2,Si3N4,アッシング ほか
電子サイクロトロン共鳴イオンビーム加工装置
製造会社 / 型番 (株)エリオニクス社製 / EIS-1200
仕様 試料サイズ φ6インチ,φ2.5インチ,□75mm×7mm
用途:Si、磁性体など
シリコン酸化膜犠牲層ドライエッチングシステム
製造会社 / 型番 住友精密工業(株)社製 / MLT-SLE-Ox
仕様 基板 最大φ6インチ
用途:フッ化水素(HF)ガスによるシリコン酸化膜ドライエッチング
シリコン犠牲層ドライエッチングシステム
製造会社 / 型番 XACTIX社製 / Xetch X3B
仕様 基板 最大φ6インチ
用途:フッ化キセノン(XeF2)によるシリコンドライエッチング
赤外フェムト秒レーザ加工装置
製造会社 / 型番 AVESTA PROJECT社製 / –
仕様 1.23μmの短パルスレーザーの集光による精密加工
レーザアニール装置
製造会社 / 型番 AOV(株)社製 / LAEX-1000
仕様 KrFレーザーのマスクのパターン縮小投影による表面のアニーリング
分解能 5.3 um Lines&spaces
紫外線ナノインプリントボンドアライメント装置
製造会社 / 型番 ズース・マイクロテック社製 / MA/BA Gen3 SPEC-KU
仕様 基板サイズ 1″to 200mm
アライメント精度 ±0.25μm(表面) ±1.0μm(裏面)
基板接合装置
製造会社 / 型番 ズース・マイクロテック社製 / SB8e SPEC-K
仕様 基板サイズ 150mm
thermo-compression, anodic, fusion, adhesive bondingなど
ナノインプリントシステム
製造会社 / 型番 Obducat社製 / Eitre3
仕様 基板サイズ φ3
インプリント方式 STU/熱/UV、全面一括
最高到達温度(熱インプリント時) 250℃
赤外透過評価検査/非接触厚み測定機
製造会社 / 型番 (株)モリテックス社製 / IRise-T
仕様 基板 最大φ8インチウェハー
画像分解能 0.26μm/画素
厚さ分解能 0.01μm以下( 5~150μm )
レーザダイシング装置
製造会社 / 型番 (株)東京精密社製 / Mahoh Dicer ML200
仕様 ウエハサイズ :φ2”~φ8″
高速切断可(300mm/sec)
ダイシングソー
製造会社 / 型番 (株)ディスコ社製 / DAD322
仕様 ワークサイズ MAX φ6″ウエハ
加工対象 Si,セラミックス,PZT,LiTaO3,ガラス,石英,複合材 ほか
真空マウンター
製造会社 / 型番 日本電気(株)社製 / VTL-201
仕様 基板サイズ Wafer φ6″以下
紫外線照射装置
製造会社 / 型番 (株)テクノビジョン社製 / LED-4082
仕様 UV硬化フィルムなどの粘着力を低下させ、 ダイボンディング時のピックアップ性を高める装置
基板サイズ Wafer φ6″以下
エキスパンド装置
製造会社 / 型番 (株)テクノビジョン社製 / TEX-21BG GR-5
仕様 基板サイズ Wafer φ6″以下
ウェッジワイヤボンダ
製造会社 / 型番 ウエスト・ボンド社製 / モデル7476
仕様 ボンディング方式 US/TC/サーモソニック
対応ワイヤ 18~50μmφまでの金線及びアルミ線
ボールワイヤボンダ
製造会社 / 型番 ウエスト・ボンド社製 / モデル7700D
仕様 ボンディング方式 US/TC/サーモソニック
対応ワイヤ 18~50μmφまでの金線
ダイボンダ
製造会社 / 型番 ウエスト・ボンド社製 / モデル7200CR
仕様 ボンディング方式 荷重圧着方式
最小チップサイズ □0.2mm
集束イオンビーム/走査電子顕微鏡
製造会社 / 型番 エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)社製 / NVision40PI
仕様 高性能FIBとFE-SEMの複合装置
EDS/EBSD搭載
超高分解能電界放出形走査電子顕微鏡
製造会社 / 型番 (株)日立ハイテクノロジーズ社製 / SU8000
仕様 像分解能 1.0nm@15kV 1.4nm@1kV
取得可能像 二次電子像,組成像,透過像,透過暗視野像
試料サイズ Max100mmφ,高さ30mm以下
分析走査電子顕微鏡
製造会社 / 型番 (株)日立ハイテクノロジーズ社製 / SU6600
仕様 分解能 二次電子分解能:1.2nm
反射電子分解能:3.0nm
EDX、EBSD、IRカメラ搭載
卓上顕微鏡(SEM)
製造会社 / 型番 (株)日立ハイテクノロジーズ社製 / Miniscope TM3000
仕様 倍率 15~30,000倍
試料最大寸法 φ70mm
高速液中原子間力顕微鏡
製造会社 / 型番 (株)生体分子計測研究所社製 / MODEL NLV-KS
仕様 推奨凹凸高さ 30 nm以下
試料形状例 φ1.5mm雲母板表面に吸着
測定環境 液中観察
走査型プローブ顕微鏡システム
製造会社 / 型番 JPKインスツルメンツAG社製 / NanoWizardⅢ NW3-XS-0他
仕様 大気中または液体中でのAFM計測
AFM測定と光学測定を同時実行可能
共焦点レーザー走査型顕微鏡
製造会社 / 型番 オリンパス(株)社製 / FV1000
仕様 励起レーザー光源波長405 nm, 473 nm, 559 nm, 635 nm
3D測定レーザー顕微鏡
製造会社 / 型番 オリンパス(株)社製 / OLS4000-SAT
仕様 平面測定精度 繰り返し性:3σn-1=0.02um(100X)
正確さ:測定値の±2%
高さ測定精度 繰り返し性:σn-1=0.012um(50X)
正確さ:0.2+L/100μm以下(L=測定長μm)
全反射励起蛍光イメージングシステム
製造会社 / 型番 オリンパス(株)社製 / –
仕様 励起レーザー光源:488 nm LD, 561 nm LD
長時間撮影蛍光イメージングシステム
製造会社 / 型番 オリンパス(株)社製 / –
仕様 5次元(XYZTλ)の画像取得が可能
X線回折装置
製造会社 / 型番 (株)リガク社製 / SmartLab-9K
仕様 試料サイズ 最大φ8インチ
組成分析、方位・配向分析、結晶性評価、格子緩和評価、格子歪・残留応力評価等の測定可能
分光エリプソメーター
製造会社 / 型番 大塚電子(株)社製 / FE-5000
仕様 測定膜厚範囲 0.1nm~1μm
測定波長範囲 250nm~2000nm
サンプルサイズ 200mmx 200mm以上
三次元粒子トラッキングシステム
製造会社 / 型番 JPKインスツルメンツAG社製 / Nano Tracker NT-O-001他
仕様 2本のレーザービームによる三次元光トラップが可能
最小Force検出 0.3 pN以下
ゼータ電位・粒径測定システム
製造会社 / 型番 大塚電子(株)社製 / ELSZ-2Plus
仕様 測定範囲 ゼータ電位:-200~200mV
電気移動度:-20×10-4~20×10-4cm2/V・s
粒子径:0.6nm~7μm
ダイナミック光散乱光度計
製造会社 / 型番 大塚電子(株)社製 / DLS-8000DH
仕様 動的光散乱法:粒径分布、拡散係数分布測定
静的光散乱法:第二ビリアル係数・重量平均分子量測定・慣性半径の見積もり
触針式段差計(CR)
製造会社 / 型番 (株)アルバック社製 / Dektak150
仕様 垂直分解能(最高) 0.1nm
測定距離 50μm~55mm
サンプルステージサイズ直径 150mm
触針式段差計(分析・評価)
製造会社 / 型番 (株)アルバック社製 / Dektak150
仕様 垂直分解能(最高) 0.1nm
測定距離 50μm~55mm
サンプルステージサイズ直径 150mm
マイクロシステムアナライザ
製造会社 / 型番 ポリテック社製 / MSA-500-TPM2-20-D-KU
仕様 MEMSデバイスの動的特性(面外,面内)および表面形状を3次元で測定
光ヘテロダイン微小振動測定装置
製造会社 / 型番 ネオアーク(株)社製 / MLD-230D-200K
仕様 測定方向 縦振動、横振動の方向を切り替えて測定
測定周波数 1kHz~200MHz
超微小材料機械変形評価装置
製造会社 / 型番 (株)エリオニクス社製 / ENT-2100
仕様 最大試料サイズ φ50x t3.5mm
荷重範囲 1μN~100mN
プローバ
製造会社 / 型番 (株)日本マイクロニクス社製 / Model 708fT
仕様 マニュアルタイプ
ウエハサイズ ~φ200mm
真空プローバ
製造会社 / 型番 カスケード・マイクロテック社製 / PLV50
仕様 チャックサイズ:φ150mm,φ100mm,小片基板 ほか
チャック温度:-40~+200℃
真空チャンバー 制御圧力:10~10-2Pa
パワーデバイスアナライザ
製造会社 / 型番 アジレント・テクノロジー(株)社製 / B1505A
仕様 IV測定 電流: 10 fA~1 A 電圧: 2μV~200 V
インピーダンスアナライザ
製造会社 / 型番 アジレント・テクノロジー(株)社製 / 4294A
仕様 基本インピーダンス確度 ±0.08%
周波数 40Hz~110MHz
セルテストシステム
製造会社 / 型番 ソーラトロン社製 / 1470E
仕様 インピーダンスアナライザと8チャンネルポテンショ/ガルバノスタットの構成
8チャネル独立測定可能
マニュアルプローバ
製造会社 / 型番 (株)アポロウエーブ社製 / α150
仕様 チャックサイズ6インチ(室温~300℃)
プローブ位置合わせのストローク量: X,Y,Z各±5 mm
RFプローブキット
製造会社 / 型番 (株)アポロウエーブ社製 / ZPROBE
仕様 マニュアルプローバと組み合わせて使用
ネットワークアナライザ
製造会社 / 型番 (株)アポロウエーブ社製 / –
仕様 マニュアルプローバと組み合わせて使用
半導体パラメータアナライザ
製造会社 / 型番 (株)アポロウエーブ社製 / 4200-SCS
仕様 マニュアルプローバと組み合わせて使用

2.研究支援に提供する設備のうち、従たる設備(平成25年度より共用開始)

EB露光装置
製造会社 / 型番 東京テクノロジー社製 / BEAM DRAW
仕様 描画方式:ラスター描画
最小ビーム径:0.1μm
ステッパ
製造会社 / 型番 大日本科研社製 / KS-7000
仕様 可変N.A.および厚膜レジストに対応した高深度露光,解像度1‐2.5μm
露光エリア直径20-50㎜
移動マスク紫外線露光装置
製造会社 / 型番 大日本科研社製 / MUM-0001
仕様 4インチウェハ
三次元加工が可能
両面マスクアライナ露光装置
製造会社 / 型番 ユニオン光学社製 / PEM-800
仕様 4インチウェハ,5インチ角マスク
両面アライメント機能
ナノインプリント装置
製造会社 / 型番 マルニ社製 / TP-32937
仕様 4インチウェハ
パリレン成膜装置
製造会社 / 型番 SCS社製 / LABCOTER PDS2010
仕様 蒸着室有効内容積:215mm(径)×270mm(高さ)
ICP-RIE装置
製造会社 / 型番 ULVAC社製 / NE-730
仕様 使用ガス:SF6,CF4,C4F8,O2,Ar
4インチウェハ
簡易RIE装置
製造会社 / 型番 サムコ社製 / FA-1
仕様 使用ガス:CF4,O2
チラー付属
ウエハ接合装置
製造会社 / 型番 ボンドテック社製 / WAP-100
仕様 4インチウェハ,高精度アライメント
常温接合・陽極接合
ダイシング装置
製造会社 / 型番 ディスコ社製 / DAD322
仕様 6インチウェハまで対応
1.5kWエアースピンドル