筑波大学、物質・材料研究機構、東京工業大学、産業技術総合研究所は、文部科学省委託事業である「ナノテクノロジープラットフォーム」の一環として「電子ビームリソグラフィセミナーV」を筑波大学東京キャンパスにて開催いたします。電子ビームリソグラフィー技術に関わる最新レジストプロセスからデータ補正技術、微細パターン形成の露光事例について紹介いたします。また、各セッションの終わりにオーサーズ・インタビューの時間を設けました。普段質問しづらいことを、この機会に是非、講師の先生方に個別にご質問ください。
産学官にかかわらず、多くの皆様のご参加をお待ちしています。
フライヤー(pdf)
概要
| 開催日時 | 2019年 11月 27日(水) 12:55～16:35 |
|---|---|
| 場所 | 筑波大学東京キャンパス文京校舎 119 号教室 （丸ノ内線茗荷谷駅） |
| 主催 |
産業技術総合研究所ナノプロセシング施設（NPF） 物質材料研究機構微細加工プラットフォーム 筑波大学微細加工プラットフォーム 東京工業大学 科学技術創成研究院未来産業技術研究所 |
| 共催 | ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会(TSC) |
| 協賛 | GenISys株式会社 株式会社エリオニクス |
| 参加費 | 無料 |
| 定員 | 90名（先着順、参加登録をお願いします） セミナー案内/申し込みはこちら |
| 講演プログラム |
12:55-13:00 はじめに 産業技術総合研究所 多田 哲也 13:00-13:40 『新規レジスト材料開発のための設計戦略』 大阪大学産業科学研究所１、日本ゼオン株式会社２ 中島綾子1、星野学2、橋本昌和2、古澤孝弘1 13:40-14:20 『光集積回路作製を目的とした厚膜レジストへの電子ビーム露光近接効果補正技術』 東京工業大学 西山 伸彦 14:20-14:50 『レジスト現像シミュレーションから見る電子ビーム近接効果とその補正』 GenISys株式会社 清水 諭 14:50-15:05 休憩（オーサーズインタビュー） 15:05-15:35 『大面積偏向型超高速電子ビーム描画装置について』 株式会社エリオニクス 新関 嵩 15:35-15:55 『電子ビーム露光装置を用いたGa2O3 FinFETとAlN光導波路の作製』 筑波大学 奥村 宏典 15:55-16:15 『電子ビーム描画条件最適化のための実験的検証』 物質・材料開発機構 NIMS微細加工プラットフォーム 大里 啓孝 16:15-16:35 『ポジ・ネガ反転パターン形成のためのDDRプロセス』 産総研 ナノプロセシング施設 郭 哲維 17:00～18:30 意見交換会（無料） TAMAYA (筑波大学東京キャンパス正門前) |
| お問合せ先 |
tia-npf-school2(at)aist.go.jp ※(at)をアットマークに変更してからご使用ください |