産業技術総合研究所ナノプロセシング施設（NPF) 、名古屋大学未来材料・システム研究所、物質・材料研究機構微細加工プラットフォームは、「薄膜技術実践セミナーⅣ」を2018年11月30日（金）産業技術総合研究所つくば中央にて開催いたします。
前半は、スパッタ堆積法、後半は原子層堆積法（ALD）の成膜技術について紹介いたします。
また、このセミナーへの参加をより充実した機会にするために、実習コースを併設しています。
産学官にかか わらず、多くの皆様のご参加をお待ちしています。
フライヤー(pdf)
概要
| 開催日時 | 2018年 11月 30日(金) 12:55 ～ 17:20 |
|---|---|
| 場所 | 産業技術総合研究所つくば中央2-12棟第6会議室 |
| 主催 |
産業技術総合研究所ナノプロセッシング施設（NPF) 名古屋大学未来材料・システム研究所 物質・材料研究機構微細加工プラットフォーム |
| 共催 | ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会(TSC) |
| 参加費 | 無料 |
| 定員 | 90名（先着順、参加登録をお願いします） セミナー案内/申し込みはこちら |
| 講演プログラム |
12:55-13:00 「はじめに」 産総研共用施設ステーション多田哲也 13:00-13:40『HfO2結晶薄膜の強誘電性とデバイス応用の魅力』 産業技術総合研究所右田真司 13:40-14:20『マグネトロンスパッタによる磁性多層膜等のスパッタ条件依存性』 名古屋大学未来材料・システム研究所岩田聡 14:20-15:00『強誘電体メモリーに関する成膜プロセス』 株式会社ＵＬＶＡＣ半導体技術研究所宮口有典 15:00-15:20 休憩（オーサーズインタビュー） 15:20-16:00 『ALD法を用いた電子デバイスの強誘電体/高誘電体薄膜の作製技術』 物質・材料研究機構生田目俊秀 16:00-16:40『Controlling HfO2 plasma ALD: doping and substrate biasing to tune film properties for ferroelectric applications』 オックスフォード・インストゥルメンツ株式会社伊藤昌平 16:40-17:00『NPFの原子層堆積（ALD）装置による成膜紹介』 産業技術総合研究所ナノプロセシング施設山崎将嗣 17:00-17:20 オーサーズインタビュー |
| 実習コース |
【日時】平成30年12月から平成31年2月の間の3日間 【場所】産業技術総合研究所つくば中央2-12棟ナノプロセシング施設（NPF） 【実習内容】 SrTiO3誘電体薄膜形成とその結晶性・電気特性評価などを盛り込んだ 機能性酸化物材料の開発のための基礎的なスキルを習得します。 【参加費】50,000円/人 【定員】3名（同時に実施いたします） |
| お問合せ先 |
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 TIA推進センター 共用施設運営ユニット 共用施設ステーション ナノプロセシング施設 電子メールアドレス：tia-npf-school3(at)aist.go.jp ※(at)をアットマークに変更してからご使用ください |