産業技術総合研究所ナノプロセシング施設（NPF）は文部科学省委託事業「ナノテクノロジープラットフォーム」の一環として、平成27年度実践セミナー『薄膜実践セミナー』を開催します。当セミナーは、講演と実習プログラムからなります。
講演ではスパッタリング法、原子層堆積法（ＡＬＤ）について膜質と成膜条件の関係、プロセス開発と応用事例、膜質の評価技術などを紹介します。新しい薄膜材料の検討を始めたい方から、薄膜のデバイス応用に興味のある方まで、幅広い分野からのご参加をお待ちしています。
実習にはNPFの装置を使用してSrTiO3強誘電体薄膜形成・熱処理と、結晶性・電気特性評価などを盛り込み、機能性薄膜開発の基礎的なスキルを獲得していただけるように期待しています。産学官いずれのご所属の方にもご参加をお申込みいただけます。
広くご参加をお待ちしています。
＊講演のみ、実習のみの参加申込も可能です。
概要
| 開催日時 | 講演：2015年 12月 14日(月) 12:55 ～ 17:40 実習：2015年 12月 ～ 2016年 2月の間の3日間 |
|---|---|
| 場所 | 講演：産業技術総合研究所つくば中央2-12棟第6会議室 実習：産業技術総合研究所つくば中央2-12棟ナノプロセシング施設（NPF） |
| 参加費 | 講演：無料 実習：50,000円/人 |
| 定員 | 講演100名(先着順) 実習：3名（同時に実施します) |
| 主催 | 産総研ナノプロセシング施設（NPF) |
| 共催 | ナノエレクトロニクス計測分析技術研究会(TSC) |
| プログラム |
12:55 開会 12:55－13:00 「はじめに」 産業技術総合研究所共用施設ステーション 多田哲也 13:00－13:40 「スパッタリング成膜技術の基礎 －膜質と成膜条件の関係－」 株式会社アルバック超材料研究所 大久保裕夫 13:40－14:10 「スパッタリング法による高圧電性ScAlN薄膜の作製 」 産業技術総合研究所製造技術研究部門 秋山守人 14:10-14:40 「スパッタリング法による光電変換材料としての遷移金属添加Ⅲ族窒化物の成膜と特性 」 京都工芸繊維大学 園田早紀 14:40－15:10 「パルスレーザー堆積法による酸化物薄膜の作製とデバイス応用」 東京大学 中野匡規 15:10－15:20 休憩 15:20－16:00 「X線回折による薄膜評価技術」 株式会社リガク 西郷真理 16:00－16:30 「原子層堆積法（ALD)による薄膜作成-プロセス開発と実施例-」 株式会社エア・リキード・ラボラトリーズ 大窪清吾 16:30－17:00 「産総研共用施設で使うALDの魅力と実際」 産業技術総合研究所共用施設ステーション 秦信宏 17:00－17:30 「ポストシリコン材料へのゲート絶縁膜形成技術 」 産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門 前田辰郎 17:30－17:40 「産総研共用施設制度のご紹介」 産業技術総合研究所共用施設ステーション 浅沼周太郎 17:40 閉会 薄膜実践セミナーちらし(pdf) |
| 参加申し込み | https://nanoworld.jp/npf/training/h27-4/book/index.html |
| お問合せ先 |
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 つくばイノベーションアリーナ推進センター 共用施設運営ユニット・共用施設ステーション ナノプロセシング施設 電子メール：tia-npf-school3(at)aist.go.jp (at)をアットマークに変更してご使用ください。 |