Machine
| 拠点 | 産業技術総合研究所 AISTナノプロセシング施設 |
|---|---|
| 機器ID | F-AT-089 |
| 中分類ID |
F0301 F0303 |
| 装置名 | 多目的エッチング装置(ICP-RIE) |
| Product | サムコ社製 / - |
| 詳細 |
放電形式に誘導結合(Inductively Coupled Plasma:ICP) 方式を採用し、 各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした研究開発用のロードロック式エッチング装置です。 プロセスガスとしてCl2,SiCl4,SF6,CHF3,NH3,CH4,Ar,O2等を使用することができ、 シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などのドライエッチングが可能です。 また、シリコン深堀プロセスにも対応しており、高精度の異方性エッチングが可能です。 サンプルステージの温度制御幅は常温からマイナス18℃までとなっており、 静電チャックおよび裏面ヘリウムガス機構を備え、効率的にサンプルの温度を制御することが可能です。 |
| 詳細2 | 放電形式に誘導結合（Inductively Coupled Plasma:ICP） 方式を採用し、 各種材料の超微細加工を高速で行うことを目的とした研究開発用のロードロック式エッチング装置です。プロセスガスとしてCl2,SiCl4,SF6,CHF3,NH3,CH4,Ar,O2 等を使用することができ、シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などのドライエッチングが可能です。また、シリコン深堀プロセスにも対応しており、高精度の異方性エッチングが可能です。サンプルステージの温度制御幅は常温からマイナス18℃までとなっており、静電チャックおよび裏面ヘリウムガス機構を備え、効率的にサンプルの温度を制御することが可能です。 |
| 更新日時 | 2021-04-20 13:55:39 |