Machine

拠点 産業技術総合研究所 AISTナノプロセシング施設  
機器ID F-AT-088  
中分類ID F0306
F0701
A0502
A0201
S0301
装置名 集束イオン/電子ビーム観察加工装置（FIB-SEM）  
Product エスアイアイ・ナノテクノロジー社 / XVision200DB  
詳細 ガリウムイオンビームとエレクトロンビームを集束/走査することで、SIM（Scanning Ion Microscopy） によるイオン励起二次電子像、及び 同一真空チャンバー内にあるFE-SEM（Field Emission-Scanning Electron Microscopy）による電子励起二次電子像や電子励起反射電子像の観察を行いながら、ガリウムイオンビームによる任意の箇所でのナノサイズ・マイクロサイズのミリング加工や、イオンビームアシスト/エレクトロンビームアシストによる任意の箇所でのカーボンやタングステンの化学気相成長を行うことができる。そのほか同一真空チャンバー内にある2マニュピレータプローブによる電圧印加とSIM観察やFE-SEM観察を行いながら、ボルテージコントラスト解析を行うことができる。

イオン源: ガリウム液体金属イオン源
電子銃: ショットキー電界放出型
加速電圧: FIB （SIM） 1～30 kV, FE-SEM 1～30 kV
像分解能: FIB （SIM） 4 nm @ 30kV, FE-SEM 3 nm @ 5kV
検出器: Chamber SE検出器, In-Lens SE検出器, EsB反射電子検出器
イオンビーム電流: 0.1nA～45nA
ガス供給システム: カーボン（フェナントレン）, タングステン（タングステンカルボニル）
マニュピレータシステム: 2プローブ
試料ステージ制御: 5軸ユーセントリックチルトステージ
ステージ傾斜角度: 最大45°（ツインマニュピレータプローブ仕様のため）
試料サイズ: 幅200mmφ以下, 高さ5mm以下 （高低差0.2mm以内）  
詳細2 エスアイアイ・ナノテクノロジー社 XVision200DB型

ガリウムイオンビームとエレクトロンビームを集束/走査することで、SIM（Scanning Ion Microscopy） によるイオン励起二次電子像、及び 同一真空チャンバー内にあるFE-SEM（Field Emission-Scanning Electron Microscopy）による電子励起二次電子像や電子励起反射電子像の観察を行いながら、ガリウムイオンビームによる任意の箇所でのナノサイズ・マイクロサイズのミリング加工や、イオンビームアシスト/エレクトロンビームアシストによる任意の箇所でのカーボンやタングステンの化学気相成長を行うことができる。そのほか同一真空チャンバー内にある2マニュピレータプローブによる電圧印加とSIM観察やFE-SEM観察を行いながら、ボルテージコントラスト解析を行うことができる。

イオン源: ガリウム液体金属イオン源
電子銃: ショットキー電界放出型
加速電圧: FIB （SIM） 1～30 kV, FE-SEM 1～30 kV
像分解能: FIB （SIM） 4 nm @ 30kV, FE-SEM 3 nm @ 5kV
検出器: Chamber SE検出器, In-Lens SE検出器, EsB反射電子検出器
イオンビーム電流: 0.1nA～45nA
ガス供給システム: カーボン（フェナントレン）, タングステン（タングステンカルボニル）
マニュピレータシステム: 2プローブ
試料ステージ制御: 5軸ユーセントリックチルトステージ
ステージ傾斜角度: 最大45°（ツインマニュピレータプローブ仕様のため）
試料サイズ: 幅200mmφ以下, 高さ5mm以下 （高低差0.2mm以内）  
更新日時 2019-07-05 10:48:53