Machine
| 拠点 | 産業技術総合研究所 AISTナノプロセシング施設 |
|---|---|
| 機器ID | F-AT-077 |
| 中分類ID |
F0404 |
| 装置名 | 多目的高速加熱ランプ炉（RTA) |
| Product | アルバック理工製 / Pss/85#/7089_1 |
| 詳細 |
アルバック理工製 Pss/85#/7089_1型 赤外線ランプとゴールドミラー集光機構を備えた高速昇温可能な加熱装置です。 試料は、石英管内の3インチカーボンサセプタに乗せ、真空又は、 不活性ガス(Ar, N2)雰囲気による加熱が行えます。 プログラムコントローラによる昇降温レート、加熱時間のコントロールが可能です。 ●温度範囲:100 ～ 1000℃(801℃以上時間制限有り) ●雰囲気:真空、不活性ガスフロー(Ar, N2) ●試料ステージ:3インチウェーハ 1枚平置き用カーボンサセプタ(SiCコート) ●加熱制御方式:マイクロコンピュータデジタルメモリー方式(最大99ステップ) ●最大加熱速度:20℃/sec (実力値、若干のオーバーシュートを伴います) ●均熱ゾーン:3インチ (Ф75 mm) ●均熱精度:±10℃ @ 800℃ ●温度制御:カーボンサセプタ埋め込みK熱電対によるフィードバックPID制御 ●到達真空度:10-3 Pa 台 (TMP使用時) |
| 詳細2 |
アルバック理工製 Pss/85#/7089_1型 赤外線ランプとゴールドミラー集光機構を備えた高速昇温可能な加熱装置です。試料は、石英管内の3インチカーボンサセプタに乗せ、真空又は、不活性ガス（Ar, N2）雰囲気による加熱が行えます。プログラムコントローラによる昇降温レート、加熱時間のコントロールが可能です。 温度範囲:100 ～ 1000℃（801℃以上時間制限有り） 雰囲気:真空、不活性ガスフロー（Ar, N2） 試料ステージ:3インチウェーハ 1枚平置き用カーボンサセプタ （SiCコート） 加熱制御方式:マイクロコンピュータデジタルメモリー方式 （最大99ステップ） 最大加熱速度:20℃/sec （実力値、若干のオーバーシュートを伴います） 均熱ゾーン:3インチ （Ф75 mm） 均熱精度:±10℃ @ 800℃ 温度制御:カーボンサセプタ埋め込みK熱電対によるフィードバックPID制御 到達真空度:10-3 Pa 台 （TMP使用時） |
| 更新日時 | 2021-04-20 14:14:51 |