Machine

拠点 産業技術総合研究所 AISTナノプロセシング施設  
機器ID F-AT-074  
中分類ID F0202
装置名 RF・DCスパッタ成膜装置(ULVAC)  
Product アルバック社製 / CS_200  
詳細 マグネトロンカソードを4式、RFおよびDC電源を搭載したスパッタリング装置です。
21種のターゲットを保有しており、RFとDCの同時放電も可能です。
成膜レート等の参考データも完備しており、トレーニング後すぐに装置をご利用頂くことが可能です。
面内分布の標準スペックとしてはφ180mm以内において±5％ですが、
φ100mm以内においては±0.8％とほぼ均一な成膜をすることが可能です。
(SiO2膜100nm成膜時)サンプルサイズは最大φ200mmまで投入可能となっており、
その加熱温度は最大500℃です。
搬送から成膜までフルオートでの運用が可能なこの装置は、量産前の試作テストにも適しています。  
詳細2 この装置は、スパッタリング現象を利用して、薄膜を作製するためのものです。
マグネトロンカソードを4インチ3式、3インチ1式装備しています。
構成は、RF用非磁性3インチ×1、非磁性4インチ×1およびDC用非磁性4インチ×1、強磁性4インチ×1となっております。
積層成膜、RF/DCの同時放電が可能となっており、この搭載されているRF電源において、基板バイアスの印加も可能となっています。
基板加熱機構を有しており、最高加熱温度は500℃までとなります。

3インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
4インチRFマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(非磁性)
4インチDCマグネトロンスパッタ源×1式(強磁性)
計4カソード
スパッタ電源:RF電源×1台(1kW)、DC電源×1台(2kW)
基板テーブル:回転加熱逆スパッタテーブル方式
基板寸法と間隔:寸法・200mm以下 ターゲット-基板間隔:120mm
加熱温度:最大500℃
膜厚分布:±5%以内(φ180mm範囲内)
到達真空度:3.5×10E-5Pa プロセスガス:Ar、O2、N2 パージガス:窒素ガス  
更新日時 2021-06-25 11:14:42