Machine

拠点 産業技術総合研究所 AISTナノプロセシング施設  
機器ID F-AT-071  
中分類ID F0306
A0502
A0503
F0708
装置名 集束イオンビーム加工観察装置（FIB） 及び イオンコーター（FIB付帯装置）  
Product 日立ハイテクノロジーズ社製 / FB-2100  
詳細 日立ハイテクノロジーズ社製 FB-2100（大電流及び低加速電圧対応）型

ガリウムイオンビームを集束/走査することで、
SIM(Scanning Ion Microscopy) によるイオン励起二次電子像の観察を行いながら、
任意の箇所でのナノサイズ・マイクロサイズのミリング加工や、
イオンビームアシストによる任意の箇所でのタングステンの化学気相成長を行うことができる。
そのほか同一真空チャンバー内にあるマニュピレータプローブと、SIM観察、ミリング加工、
タングステン成長を組み合わせることで様々な作製プロセスが行うことができる。

●イオン源: ガリウム液体金属イオン源
●加速電圧: 2kV, 5kV, 10kV～40 kV (低加速電圧対応)
●像分解能: 6 nm (SIM)
●ビーム径: 3µm, 1.3µm, 600 nm, 320 nm, 120 nm, 60 nm, 10 nm
●イオンビーム電流: 0.1nA～68nA (大電流対応)
●ガス供給システム: タングステン（タングステンカルボニル）
●マニュピレータシステム: シングルプローブ
●試料ステージ制御: 5軸チルトステージ
●ステージ傾斜角度: 最大45°
●試料サイズ: 幅φ18mm以下, 高さ10mm以下

及び付帯装置
日立ハイテクノロジーズ社製 E-1045型 イオンコーター
●ダイオード放電マグネトロン形/対向平行円板
●試料サイズ: 幅φ60mm以下、高さ20mm以下  
詳細2 日立ハイテクノロジーズ社製 FB-2100（大電流及び低加速電圧対応）型

ガリウムイオンビームを集束/走査することで、SIM（Scanning Ion Microscopy） によるイオン励起二次電子像の観察を行いながら、任意の箇所でのナノサイズ・マイクロサイズのミリング加工や、イオンビームアシストによる任意の箇所でのタングステンの化学気相成長を行うことができる。そのほか同一真空チャンバー内にあるマニュピレータプローブと、SIM観察、ミリング加工、タングステン成長を組み合わせることで様々な作製プロセスが行うことができる。

イオン源: ガリウム液体金属イオン源
加速電圧: 2kV, 5kV, 10kV～40 kV （低加速電圧対応）
像分解能: 6 nm （SIM）
ビーム径: 3µm, 1.3µm, 600 nm, 320 nm, 120 nm, 60 nm, 10 nm
イオンビーム電流: 0.1nA～68nA （大電流対応）
ガス供給システム: タングステン（タングステンカルボニル）
マニュピレータシステム: シングルプローブ
試料ステージ制御: 5軸チルトステージ
ステージ傾斜角度: 最大45°
試料サイズ: 幅φ18mm以下, 高さ10mm以下

及び付帯装置
日立ハイテクノロジーズ社製 E-1045型 イオンコーター
ダイオード放電マグネトロン形/対向平行円板
試料サイズ: 幅φ60mm以下、高さ20mm以下  
更新日時 2021-12-27 11:59:27