_大阪大学 ナノテクノロジー設備供用拠点 – 装置リスト

 

超高精細電子ビームリソグラフィー装置
製造会社 / 型番 エリオニクス製 / ELS-100T
仕様 加速電圧:125keV
試料サイズ:6inch
高精細電子線リソグラフィー装置
製造会社 / 型番 エリオニクス製 / ELS-7700T
仕様 加速電圧:75keV
試料サイズ:6inch
電子ビームリソグラフィー装置
製造会社 / 型番 JEOL社製 / JSM6500F with Beam Draw
仕様 試料サイズ:2inch
加速電圧:30keV
集束イオンビーム装置
製造会社 / 型番 日立ハイテクサイエンス社製 / SMI2050
仕様 ステージサイズ:2inch
C銃, W銃装備, 電子銃:500eV
加速電圧:30keV
最小ビーム径:4nm
収束イオンビーム誘起化学蒸着装置
製造会社 / 型番 ZEISS社製 / Nvision 40D with NPVE
仕様 ステージサイズ:max 8inch
Pt銃、SiO2銃装備
FE-SEMユニット, 加速電圧:30keV
検出器:InLens, SE,Esb
FIBユニット, 加速電圧:30keV
最小ビーム径:4nm
深掘りエッチング装置
製造会社 / 型番 サムコ社製 / RIE-400iPB
仕様 試料サイズ:max 8inch
ガス:CF4,C4F8,CHF3,SF6,He,O2, Ar,N2
リアクティブイオンエッチング装置
製造会社 / 型番 サムコ社製 / RIE-10NA
仕様 試料サイズ:max 8inch
ガス:CF4, CHF3,SF6,O2, Ar, N2
製造会社 / 型番 サムコ社製 / RIE-10NOU
仕様 ガス:CF4, O2, Ar, N2
RFスパッタ成膜装置群(RFスパッタ2台)
製造会社 / 型番 サンユー電子社製 / SVC-700LRF
仕様 絶縁体成膜用RFスパッタ
金属成膜用RFスパッタ
試料サイズ:max 4inch
ナノ薄膜形成システム(EB蒸着、アークプラズマ蒸着)
製造会社 / 型番 アルバック社製 / UEP-2000 OT-H/C
仕様 試料サイズ:max 4inch
EB蒸着ユニット
アークプラズマユニット
マスクアライナー
製造会社 / 型番 ミカサ社製 / MA-10
仕様
レーザー描画システム
製造会社 / 型番 ピーエムティー社製 / PLS-1010
仕様
イオンシャワーエッチング装置
製造会社 / 型番 ピーエムティー社製 / EIS-200ER
仕様 ガス:CF4,Ar
ナノインプリント装置
製造会社 / 型番 Obducat社製 / Eitre 3
仕様 熱・UVの両方式に対応
試料サイズ:3inch