マスクアライナ
| 製造会社 / 型番 | キャノン社製 / PLA-501(S) |
|---|---|
| 仕様 | 厚さ0.7μm以下の不定形試料に対応 |
電子線描画装置
| 製造会社 / 型番 | 日本電子社製 / JBX6000SG |
|---|---|
| 仕様 | 加速電圧：25/50kV 最小ビーム径：5nm ビーム電流：100pA-2nA |
反応性イオンエッチング装置
| 製造会社 / 型番 | サムコ社製 / RIE-1C |
|---|---|
| 仕様 | エッチングガス：CF4，O2 高周波電力：150W |
イオン注入装置
| 製造会社 / 型番 | 日新電機社製 / NH-20SR-WMH |
|---|---|
| 仕様 | 加速電圧：30-200kV 注入電流：5nm～100μA |
X線光電子分光装置
| 製造会社 / 型番 | VG社製 / ESCALAB210 |
|---|---|
| 仕様 | 線源：Mg/AlツインアノードおよびAlモノクロX線源 Arスパッタ銃による試料エッチング可能 角度分解測定用マニュピレータ |
走査型電子顕微鏡
| 製造会社 / 型番 | 日本電子社製 / JSM-6301F |
|---|---|
| 仕様 | 線源：冷陰極電界放射型電子銃 加速電圧：0.5～30kV 倍率：10～500,000 エネルギー分散型分光器による組成分析可能 |
電気炉
| 製造会社 / 型番 | 光洋リンドバーグ社製 / MODEL272-2 |
|---|---|
| 仕様 | 温度範囲：400-1100℃ |
急速加熱理装置
| 製造会社 / 型番 | AG Associates社製 / Heatpulse 610 |
|---|---|
| 仕様 | 温度範囲：400～1200℃ 昇温速度：200℃/sec |
薄膜X線回折装置
| 製造会社 / 型番 | RIGAKU社製 / ATX-G |
|---|---|
| 仕様 | Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー，Geモノクロメーター付き 測定モード：θ－2θスキャン，ロッキングカーブ，逆格子面マッピング，膜面内φスキャン，φ－2θχスキャンなど |
原子間力顕微鏡
| 製造会社 / 型番 | Bruker社製 / AXS Dimension3100 |
|---|---|
| 仕様 | スキャン領域：XY方向 約90μm，Z方向 約6μm 試料サイズ：最大150 mmφ－12 mmt 測定モード AFM，MFM，EFM，LFM，表面電位顕微鏡，電流像，リソグラフィー |
8元マグネトロンスパッタ装置
| 製造会社 / 型番 | – / – |
|---|---|
| 仕様 | 2インチカソード8本 試料サイズ30 mm角 RF電源 500 W 2台 基板加熱：600℃ 1 kV Arイオンエッチング機構 試料交換室に8サンプルバンク可 |
8元MBE装置
| 製造会社 / 型番 | – / – |
|---|---|
| 仕様 | 蒸着源：4cc蒸着源4個，2cc蒸着源2個 試料サイズ30 mm角 高圧電源3台 基板加熱：1000℃ 1kV Arイオンエッチング機構 25 kV RHEED表面観察機能 |
ECR-SIMSエッチング装置
| 製造会社 / 型番 | ECRイオンガン：入江工研社製 / RGB-114 SIMS検出器：PFEIFFER社製 / EDP400 |
|---|---|
| 仕様 | ECRイオンガン：マイクロ波入力150 W，加速電圧600 V，イオン照射径30mm SIMS検出器：分析質量1-512 amu 試料角度調整，回転機構付き |
3元マグネトロンスパッタ装置
| 製造会社 / 型番 | 島津製作所 / HSR-522 |
|---|---|
| 仕様 | 4インチカソード3本，RF電源500 W 2台 逆スパッタ機構，基盤回転，シャッター開閉機構による多層膜成長可能 |
露光プロセス装置一式
| 製造会社 / 型番 | ユニオン光学社製 / PEM800 |
|---|---|
| 仕様 | 両面露光が可能 対応基板サイズ：最大４インチ 最小パターン：3.0μm |
エッチングプロセス一式
| 製造会社 / 型番 | ACCULINE社製 / QZ-B1501 |
|---|---|
| 仕様 | 結晶異方性でのSiの微細加工が可能 対応基板サイズ：最大３インチ 温度分布：±1℃ |
薄膜プロセス群
| 製造会社 / 型番 | 芝浦メカトロニクス社製 / CFS-4ES-231 |
|---|---|
| 仕様 | 多元金属スパッタ，逆スパッタが可能 膜厚分布：±５％以下 |
| 製造会社 / 型番 | 日本パリレン合同会社製 / POS2010 |
|---|---|
| 仕様 | 生体適合性材料の形成が可能 |
| 製造会社 / 型番 | 三鷹光器社製 / NH-3N |
|---|---|
| 仕様 | 三次元非接触計測が可能 分解能： 0.1×0.1×0.01μm |
レーザー描画装置
| 製造会社 / 型番 | Heidelberg Instruments社製 / DWL66FS |
|---|---|
| 仕様 | 最小描画サイズ：0.6μm 最大描画サイズ：200mmX200mm 直描およびガラスマスク作製 |
フォトリソグラフィ装置
| 製造会社 / 型番 | sII NanoTechnology社製 / SMI2000 |
|---|---|
| 仕様 | 加速電圧：30kV 二次電子観察分解能：5nm@30kV タングステンデポジション可能 |
分子線エピタキシー装置
| 製造会社 / 型番 | エイコーエンジニアリング社製 / – |
|---|---|
| 仕様 | ｋセル8系統：Ga,As,In,Al,Si,Be 対応基板サイズ：最大2インチ RHEED付 |
電子ビーム蒸着装置
| 製造会社 / 型番 | アルバック社製 / EBX-10D |
|---|---|
| 仕様 | 最大投入電力：5kW るつぼ数4，ハースライナー使用 |
スパッタ絶縁膜作製装置
| 製造会社 / 型番 | MESアフティ社製 / AFTEX-3420 |
|---|---|
| 仕様 | 対応基板サイズ：最大3インチ 酸化膜，窒化膜用 |
ICPエッチング装置
| 製造会社 / 型番 | アルバック社製 / CE-300I |
|---|---|
| 仕様 | 化合物エッチング 対応基板サイズ：最大6インチ基板 プロセスガス：Cl2 |
RIEエッチング装置
| 製造会社 / 型番 | サムコ社製 / RIE-10NR |
|---|---|
| 仕様 | シリコン系エッチング 対応基板サイズ：最大8インチ プロセスガス：CF4,Ar,O2 |
走査型電子顕微鏡
| 製造会社 / 型番 | 日立ハイテクフィールディング社製 / Ｓ5200 |
|---|---|
| 仕様 | 加速電圧：0.5kV～30kV 分解能：0.5nm(30kV) 倍率：～2,000,000 最大試料サイズ：5mmX9.5mm |
段差計
| 製造会社 / 型番 | アルバック社製 / Dektak150 |
|---|---|
| 仕様 | 触針式 垂直分解能：10nm 測定距離：50μm～55mm |
超高密度大気圧プラズマ装置
| 製造会社 / 型番 | 富士機械製造株式会社 / – |
|---|---|
| 仕様 | 大気圧プラズマ中のラジカルを用いた材料の表面処理（改質，洗浄） 使用ガス：Ar，N2，Ar+O2 電源：AC交流電源，9ｋV, 60 Hz |
超高密度大気圧プラズマ装置
| 製造会社 / 型番 | NUシステム会社 / – |
|---|---|
| 仕様 | 有機溶媒を用いたナノグラフェン合成 液体分析，細胞改質が可能 電源9ｋV，60Hz 液体：アルコール類 500ｍL プロセスガスAr 3L/min |
大気圧IAMS(イオン付着質量分析器)
| 製造会社 / 型番 | キャノンアネルバ社製 / – |
|---|---|
| 仕様 | 大気圧プラズマの質量分析が可能 検出質量数 1-410 |
真空紫外吸収分光計(原子状ラジカルモニター）
| 製造会社 / 型番 | NUシステム社製 / – |
|---|---|
| 仕様 | プラズマ診断用，真空チャンバー壁面に設置，H，O，N，Cラジカル密度計測可 |
In-situ 電子スピン共鳴 （ESR)
| 製造会社 / 型番 | Bruker社製 / EMX Premium X |
|---|---|
| 仕様 | 試料中に存在する不対電子のリアルタイム計測，温度可変不可（室温），気体分析可能 サンプルサイズ： 5 mm 幅以下，石英管，ガス分析可 |
二周波励起プラズマエッチング装置
| 製造会社 / 型番 | – / – |
|---|---|
| 仕様 | 次世代ULSI製造プロセス開発に向けた新規代替ガス評価とその開発 プロセスガス：Fluorocarbon，Ar，N2，O2，H2 サンプルサイズ：Si 8インチウエハ |
60 MHz 励起プラズマCVD装置
| 製造会社 / 型番 | 東京エレクトロン / – |
|---|---|
| 仕様 | プラズマCVD装置 プロセスガス：シラン，N2，水素，アンモニア，希ガス（Ar，He） サンプル：Si，8インチ |
ラジカル計測付多目的プラズマプロセス装置
| 製造会社 / 型番 | – / – |
|---|---|
| 仕様 | 基板温度，ラジカル，マルチ分光器，FTIRを用いてエッチングの際に生成する温度，ラジカル密度，励起種，表面分析をIn-situで行う． プロセスガス：H2，N2，Ar，O2，He 基板温度：－10℃-60℃ サンプル：Si，4インチウエハ |
レーザー描画装置
| 製造会社 / 型番 | Heidelberg社製 / DWL66 uTAS |
|---|---|
| 仕様 | ＭＥＭＳの作製およびＳｉエッチング評価の際のマスク作製 最小描画サイズ：1.0 μm 直描およびガラスマスク50 mm x 50 mm |
磁気特性評価システム群
交番磁界勾配型磁力計
| 製造会社 / 型番 | – / – |
|---|---|
| 仕様 | 感度10^-8emu，20kOe |
振動試料型磁力計
| 製造会社 / 型番 | – / – |
|---|---|
| 仕様 | 感度10^-5emu，15kOe |
トルク磁力計
| 製造会社 / 型番 | – / – |
|---|---|
| 仕様 | 2×10^-3erg，15kOe |
磁気光学スペクトロメータ
| 製造会社 / 型番 | – / – |
|---|---|
| 仕様 | 2×10^-3deg，16kOe |
マスクアライナ群
| 製造会社 / 型番 | Suss MicroTec AG社製 / MA-6 |
|---|---|
| 仕様 | 対応サイズ: Φ2inch – 150 mm，不定形小片：150 mm アライメント精度: ±0.5 m(表面ｱﾗｲﾒﾝﾄ), ±0.1 m(裏面ｱﾗｲﾒﾝﾄ), |
| 製造会社 / 型番 | Suss MicroTec AG社製 / MJB-3 |
|---|---|
| 仕様 | 最大ウェーハサイズ： 3 inch（吸引モード） 4 inch（ソフトコンタクト） 照射範囲：3×3 inch 対応基板厚さ：4.5 mm |
| 製造会社 / 型番 | ナノテック社製 / LA410 |
|---|---|
| 仕様 | 適応マスク：最大 5 inch 適応資料：最大Φ4 inch 有効露光範囲：Φ80 mm以上 |
スプレーコーター一式
| 製造会社 / 型番 | サンメイ社製 / DC110 |
|---|---|
| 仕様 | 対応サイズ:最大 □220 mm 移動範囲:縦横300 mm 移動速度:10～200 mm/秒 粒子径:約5～15μm クリーンブース CLB内に設置 |
レーザ描画装置一式
| 製造会社 / 型番 | Heidelberg社製 / μPG101-UV |
|---|---|
| 仕様 | 対応基板：100 ×100 mm 加工精度：1 μm 対応データ：DXF，CIF，BMP |
スパッタリング装置一式
| 製造会社 / 型番 | キャノンアネルバ社製 / E-200S |
|---|---|
| 仕様 | ターゲット：SiO2，Cr，Au 膜厚分布：Φ100 mm内±3％ 基板ホルダー：Φ200 mm 基板加熱：Max 300℃（水冷付） |
3次元レーザ・リソグラフィシステム一式
| 製造会社 / 型番 | Nanoscribe社製 / ﾌｫﾄﾆｯｸ･ﾌﾟﾛﾌｪｯｼｮﾅﾙ |
|---|---|
| 仕様 | 2次元加工精度：100 nm 3次元加工精度：150 nm 対応データ：DXF, STL |
| 製造会社 / 型番 | KISCO社製 / SCLEAD3CD2000 |
|---|---|
| 仕様 | 設計温度：100 ℃ 設計圧力：20 MPa 外寸：900×600×1200 mm |
光三次元造形装置一式
| 製造会社 / 型番 | Object社製 / EDEN250 |
|---|---|
| 仕様 | 造形精度：16μm 造形サイズ：260 mm×260 mm×200 mm |
ナノインプリント装置一式
| 製造会社 / 型番 | SCIVAX社製 / X-300 BVU-ND |
|---|---|
| 仕様 | 形式：熱式，UV式 最大ワークサイズ：Φ150 mm 最大荷重：50 KN 最高仕様温度：250℃，650℃ UV機能：波長 365 nm／385 nm 有効照射面積：□100 mm |
パリレンコーティング装置一式
| 製造会社 / 型番 | KISCO社製 / DACS-LAB |
|---|---|
| 仕様 | 蒸着チャンバー寸法：ID300×H350 mm |
小型微細形状測定機一式
| 製造会社 / 型番 | 小坂研究所社製 / ET200 |
|---|---|
| 仕様 |
蛍光バイオイメージング装置一式
共焦点レーザ顕微鏡システム
| 製造会社 / 型番 | ニコン社製 / A1Rsi-N |
|---|---|
| 仕様 | 蛍光励起レーザ： 405 nm，488 nm，561 nm，635 nm 対物レンズ：100倍，10倍，20倍 |
ICPエッチング装置一式
| 製造会社 / 型番 | サムコ社製 / RIE-800 |
|---|---|
| 仕様 | ウェーハサイズ：6 inch ボッシュプロセス対応 加工速度：50 m/min |
ECRスパッタリング装置一式
| 製造会社 / 型番 | エリオニクス社製 / EIS-230S |
|---|---|
| 仕様 | ﾀｰｹﾞｯﾄｻｲｽﾞ：100 mm×80 mm 加速電圧：100 V～3000 V ｲｵﾝﾋﾞｰﾑ有効径：Φ20 mm |
電鋳装置一式
| 製造会社 / 型番 | 日立協和ｴﾝｼﾞﾆｱﾘﾝｸﾞ社製 / HIKEP-M |
|---|---|
| 仕様 | メッキ種類：金 ウェーハサイズ：Φ3-12 inch ウェハ材質：Si/ガラス等 |
高精度電子線描画装置一式
| 製造会社 / 型番 | 日本電子㈱社製 / SPG-724 |
|---|---|
| 仕様 | 補償分解能：1.2 nm(30kV) 倍率：×10～×1,000,000 試料室：最大200 mm JSM-7000FKに搭載 |
SEM用断面試料作製装置
| 製造会社 / 型番 | JEOL社製 / SM-09010 |
|---|---|
| 仕様 | 最大搭載試料サイズ： イオンビーム径：500 μm 試料移動範囲：±3 mm ×±3 mm |
デジタルマイクロスコープ一式
| 製造会社 / 型番 | KEYENCE社製 / VK-9700 |
|---|---|
| 仕様 | 分解能：高さ方向 0.01 μm 水平方向 0.13 μm 最大観察倍率：3,000倍 測定用光源：波長 408 nm |