_北海道大学 創成研究機構/ナノテクノロジー連携研究推進室 – 装置リスト

超高精度電子ビーム描画装置
製造会社 / 型番 エリオニクス社製 / ELS-F125
仕様 加速電圧:125kV
試料サイズ:最大6インチ
製造会社 / 型番 エリオニクス社製 / ELS-7000HM
仕様 加速電圧:100kV
試料サイズ:最大6インチ
マスクアライナ
製造会社 / 型番 ミカサ社製 / MA-20
仕様 コンタクト露光
試料サイズ:最大4インチ
マスクサイズ:最大5インチ
レーザー直接描画装置
製造会社 / 型番 ネオアーク社製 / DDB-201
仕様 光源:375nm半導体レーザー
描画エリア:最大50mm
試料サイズ:最大6インチ
真空蒸着装置
製造会社 / 型番 サンバック社製 / ED-1500R
仕様 蒸着源:抵抗加熱3元、EB3元
基板加熱可
プラズマCVD装置
製造会社 / 型番 サムコ社製 / PD-220ESN
仕様 試料種類:SiO2、SiN
試料サイズ:最大4インチ
液体ソースプラズマCVD装置
製造会社 / 型番 サムコ社製 / PD-10C1
仕様 試料種類:SiO2他
キャリアガス:N2,He,Ar,H2
試料サイズ:最大4インチ
ヘリコンスパッタリング装置
製造会社 / 型番 アルバック社製 / PD-10C1MPS-4000C1/HC1
仕様 試料種類:3元、Au,Ag,Cr,Ti,SiO2他
イオンビームスパッタ装置
製造会社 / 型番 アルバック社製 / IBS-6000
仕様 試料種類:4元、Ni,Cr,SiO2、W-Si他
原子層堆積装置
製造会社 / 型番 ピコサン社製 / SUNALE-R
仕様 試料種類:SiO2、TiO2、Al2O3、Nb他
ICPドライエッチング装置
製造会社 / 型番 住友精密社製 / SPM-200
仕様 使用ガス:SF6,C4F8、CF4、Ar、O2、CH4
試料サイズ:最大4インチ
ICP高密度プラズマエッチング装置群
製造会社 / 型番 サムコ社製 / RIE-101iPH
仕様 使用ガス:SF6,C4F8、CF4、Ar、O2、CHF3、C3F8
試料サイズ:最大4インチ
製造会社 / 型番 サムコ社製 / RIE-101iHS
仕様 使用ガス:Xe、Ar、O2、SiCl4、Cl2
試料サイズ:最大4インチ
反応性イオンエッチング装置
製造会社 / 型番 サムコ社製 / RIE-10NRV
仕様 使用ガス:CF4、Ar、O2、CHF3
試料サイズ:最大8インチ
ドライエッチング装置
製造会社 / 型番 アルバック社製 / NLD-500
仕様 使用ガス:SF6、C4F8、CF4、CHF3,Ar、O2、C3F8
試料サイズ:最大4インチ
イオンミリング装置
製造会社 / 型番 アルバック社製 / IBE-6000S
仕様 使用ガス:Ar
試料サイズ:最大4インチ
真空紫外露光装置
製造会社 / 型番 エヌ工房 / フォトクリエーターPC-01-H
仕様 試料サイズ:最大11インチ
高分解能電界放射型走査型電子顕微鏡
製造会社 / 型番 日本電子社製 / JSM-6700FT
仕様 EDS機能、2探針マイクロプローブ装備
電子ビーム描画装置
製造会社 / 型番 エリオニクス社製 / ELS-3700
仕様 加速電圧:30kV LaB6
試料サイズ:最大4インチ
円弧スキャン可
製造会社 / 型番 エリオニクス社製 / ELS-7300
仕様 加速電圧:30kV ZrO/W
試料サイズ:最大5インチ
円弧スキャン可
両面マスクアライナ
製造会社 / 型番 ズースマイクロテック社製 / MA-6
仕様 両面、露光精度0.6ミクロン
試料サイズ:最大6インチ
ECR加工装置
製造会社 / 型番 エリオニクス社製 / EIS-200ER
仕様 使用ガス:CF4、O2、Ar
試料サイズ:最大4インチ
ICP加工装置
製造会社 / 型番 エリオニクス社製 / EIS-700
仕様 使用ガス:CF4、O2、Ar
試料サイズ:20mm角4枚
超高真空5源ヘリコンスパッタ
製造会社 / 型番 菅製作所 / Av028
仕様 試料種類:Cu、Ta、FeNi、IrMn、CoFe
ALD製膜装置
製造会社 / 型番 Cambride NanoTech社製 / Savannah 100
仕様 成膜材料:HfO2, Al2O3, ZrO2
スパッタ
製造会社 / 型番 アネルバ:社製 / SPF-210H
仕様 成膜材料:1元、Au、Ni、Al、Cu  DC・RF・逆RF
EB加熱・抵抗加熱蒸着装置
製造会社 / 型番 アルバック社製 / EBX-8C
仕様 蒸着源:EB4元・抵抗加熱2元
蒸着材料:Ti, Au, Al, Pd, Co等
製造会社 / 型番 菅製作所
仕様 蒸着源:EB4元・抵抗加熱1元
蒸着材料:Si, Al, Fe, Mo, Au
FIB加工装置
製造会社 / 型番 エリオニクス社製 / EIP-3300
仕様 加速電圧:30kV Ga
試料サイズ:ベクタスキャン可、WCOデポ可
環境試験器
製造会社 / 型番 エスペック社製 / SH-221
仕様 温度範囲-20℃~+150℃・湿度範囲30 ~ 95%
デジタル顕微鏡
製造会社 / 型番 ハイロックス社製 / KH-7700
仕様 倍率:2500
3Dプロファイル・計測・表示
太陽電池評価システム
製造会社 / 型番 ワコム電創社製 / WXS-156S-L2,AM1.5GMM
仕様 JIS、IEC規格準拠 CLASS AAA
照射強度 : 1(sun)
基板サイズ:最大6インチ
 エリプソメータ
製造会社 / 型番 日本分光社製 / M-500S
仕様 Xe光源
測定波長:350~800nm
試料水平置き
ナノカーボン成長炉
製造会社 / 型番 Nano Device社製 / Easy tube sysytem
仕様 基板サイズ:最大2cmx2cm
成長温度:最大1000℃
成長ガス:メタン・エチレン・アルゴン・水素, 大気圧
 コンパクトスパッタ装置
製造会社 / 型番 アルバック製 / ACS-4000-C3-HS
仕様 試料種類:SiO2、Au,Cr等
基板サイズ:10mm~4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで)
基板加熱機構有り(~550℃)