スパッタ(金属,絶縁体)蒸着装置
製造会社 / 型番 | 芝浦エレテック / CFS-4ES |
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仕様 | 平行平板型,ターゲット現有 (Ti,Al,Ag,Pd,SiO2,Al2O3,SiN,Au) |
電子ビーム(金属)蒸着装置
製造会社 / 型番 | 日本真空 / EBS-10A |
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仕様 | Al, Al-Si,Ti, Ni, Feなど(但しAuは不可) |
分子線エピタキシー装置
製造会社 / 型番 | エイコー社製 / – |
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仕様 | AlInGaAs, Si, Be-dopng, GaAs系 |
製造会社 / 型番 | – / RIBER2300 |
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仕様 | Ga, Al, In, As, Sb, Si-dope(n), C-dope(p),基板サイズ:2インチ |
カーボン用プラズマ成膜装置
製造会社 / 型番 | 日本真空改造 / CN-CVD-100 |
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仕様 | Ta製電極,リモートプラズマ成膜可能,カーボンナノチューブ,カーボンナノウォール,グラフェン合成 |
電子ビーム描画装置
製造会社 / 型番 | クレステック / CABL-8200TFE CABL-2000 |
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仕様 | Si,ガラス等各種基板 |
マスクアライナ装置
製造会社 / 型番 | ズース・マイクロテック / MA6 |
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仕様 | 裏面アライメント可能, 共和理研K-359SDコーター,ベーキング,露光,現像装置一式 |
レジスト処理装置(UVキュア,アッシング)
製造会社 / 型番 | – / – |
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仕様 | 自作および特注(VICインターナショナル,VPA-100改造) 材料制限は少ない(要相談),φ4インチまで |
洗浄ドラフト一式
製造会社 / 型番 | – / – |
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仕様 | シリコン専用および化合物半導体専用のドラフト群 小型~太陽電池156mm角基板等 |
オゾンクリーナ
製造会社 / 型番 | サムコ社 / UV-1 |
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仕様 | サイズはmax φ6インチ |
シリコン専用の各種熱処理(酸化,拡散)装置一式
製造会社 / 型番 | – / – |
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仕様 | 横型および縦型,酸化・拡散炉一式 シリコンウェハーの酸化および不純物拡散(リンおよびボロン) φ3インチまでのシリコン基板 |
イオン打ち込み装置
製造会社 / 型番 | VARIAN / 200CF4 |
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仕様 | max180kV, 中電流インプラ装置,ガスソースP, B, As,N Φ3インチまでのSi基板へのイオン打込みが可能 |
Reactive Ion Etching 装置(非Boschプロセス)
製造会社 / 型番 | サムコ社 / RIE-10NR |
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仕様 | CF4, O2, SF6を用いたレジストアッシングや,SiおよびSiO2,石英ガラス,窒化膜のエッチング Φ6インチまでのガラス及びシリコン基板に対応 |
Deep Reactive Ion Etching装置(Boschプロセス)
製造会社 / 型番 | 住友精密工業 / Multiplex-ASE-SRE-SE |
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仕様 | φ3インチ シリコン用(金属剥き出しサンプルは禁止) |
気相フッ酸エッチング装置
製造会社 / 型番 | – / – |
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仕様 | 自作(シリコンMEMS用の犠牲層SiO2エッチング) φ3インチまで |
ダイシング装置
製造会社 / 型番 | 岡本工作 / ADM-6DBV |
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仕様 | φ6インチ以下基板のダイシング加工 被切断材質はシリコン,GaAs,石英基板,サファイア等 |
電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)(電子線後方散乱回折(EBSD)付属)
製造会社 / 型番 | 日本電子 / JSM-7000FOA |
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仕様 | ショットキー電界放出電子銃, EBSD付属, 分析時分解能 3.0nm,加速電圧0.5~30kV 試料:最大32mmφ |
デジタルマイクロスコープ
製造会社 / 型番 | Keyence / VHX-600および,フリーアングル(斜め)低倍観察VH-5500 など |
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仕様 | 測微機能および3次元表示機能付きデジタルマイクロスコ-プ 材料は不問,サイズはステージに載ればOK |
エリプソメーター
製造会社 / 型番 | ガ-トナ- / LSE |
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仕様 | シリコン酸化膜あるいはSiN膜等の単層あるいは2層膜の膜厚測定 φ6インチ以下基板 |
表面形状測定器(段差計)
製造会社 / 型番 | KLA-Tencor社 / アルファーステップIQZ(クリーンルーム内) |
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仕様 | 触針段差計,材料は不問 φ4インチ程度 |
非接触3次元表面形状・粗さ測定機
製造会社 / 型番 | Zygo社 / NewView 7300システム(含:フィルム,動的オプション)白色干渉計 |
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仕様 | 材料は不問 サイズはステージに載ればOK |
シート抵抗測定器
製造会社 / 型番 | エヌピイエス社 / Σ-5+ |
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仕様 | 不純物拡散層および金属薄膜抵抗測定 260mm幅のステージに載れば測定可能 1.000mΩ/□~5000.0KΩ/□を約1sで測定 |
ライフタイム測定装置
製造会社 / 型番 | コベルコ / LTA-100EP |
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仕様 | μ-PCD法によるシリコンウェハ-中の少数キャリアライフタイム測定 φ6インチ基板までのポイントおよびマッピング測定可能 |
走査型プローブ顕微鏡
製造会社 / 型番 | SII-NT製 / SPA400 |
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仕様 | AFM, DFM, pA測定可能 小片~10mm角程度の基板 |
多目的X線回折装置 一式
製造会社 / 型番 | リガク / RINT TTR-3,R-AXIS,Nanoviewer,R-AXIS VII, |
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仕様 | 材料制限は少ない(要相談) mmサイズから計測可能 |
製造会社 / 型番 | マックサイエンス / DIP1000 |
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仕様 | 材料制限は少ない(要相談) mmサイズから計測可能 |
フーリエ変換型赤外分光光度計 一式
製造会社 / 型番 | Varian / FTS7000 日本分光 / FT/IR-510,FT/IR-6100FV |
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仕様 | 材料制限は少ない(要相談) mmサイズから計測可能 温度ジャンプなどによる結晶化仮定のの追跡も可能 サブ秒での高速測定可能 |
ラマン分光装置 一式
製造会社 / 型番 | レニショー / inVia Reflex 日本分光 / NRS-2100 |
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仕様 | マッピング可能(最少100nmステップ) 試料サイズ mm~cm |
マスクレス露光装置
製造会社 / 型番 | (株)大日本科研 / MX-1204 |
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仕様 | φ4インチにポジ型フォトレジスト(膜厚1μm以上)に、2μm幅のラインアンドスペースを全面(外周3mm除く)に描いたときに、描画時間が30分程度 露光パターン幅のバラツキが100 nm(1σ)以下 |