_豊田工業大学 研究設備共同活用センター/ナノテクノロジープラットフォーム部門 – 装置リスト

スパッタ(金属,絶縁体)蒸着装置
製造会社 / 型番 芝浦エレテック / CFS-4ES
仕様 平行平板型,ターゲット現有
(Ti,Al,Ag,Pd,SiO2,Al2O3,SiN,Au)
電子ビーム(金属)蒸着装置
製造会社 / 型番 日本真空 / EBS-10A
仕様 Al, Al-Si,Ti, Ni, Feなど(但しAuは不可)
分子線エピタキシー装置
製造会社 / 型番 エイコー社製 / –
仕様 AlInGaAs, Si, Be-dopng, GaAs系
製造会社 / 型番 – / RIBER2300
仕様 Ga, Al, In, As, Sb, Si-dope(n), C-dope(p),基板サイズ:2インチ
カーボン用プラズマ成膜装置
製造会社 / 型番 日本真空改造 / CN-CVD-100
仕様 Ta製電極,リモートプラズマ成膜可能,カーボンナノチューブ,カーボンナノウォール,グラフェン合成
電子ビーム描画装置
製造会社 / 型番 クレステック / CABL-8200TFE CABL-2000
仕様 Si,ガラス等各種基板
マスクアライナ装置
製造会社 / 型番 ズース・マイクロテック / MA6
仕様 裏面アライメント可能,
共和理研K-359SDコーター,ベーキング,露光,現像装置一式
レジスト処理装置(UVキュア,アッシング)
製造会社 / 型番 – / –
仕様 自作および特注(VICインターナショナル,VPA-100改造)
材料制限は少ない(要相談),φ4インチまで
洗浄ドラフト一式
製造会社 / 型番 – / –
仕様 シリコン専用および化合物半導体専用のドラフト群
小型~太陽電池156mm角基板等
オゾンクリーナ
製造会社 / 型番 サムコ社 / UV-1
仕様 サイズはmax φ6インチ
シリコン専用の各種熱処理(酸化,拡散)装置一式
製造会社 / 型番 – / –
仕様 横型および縦型,酸化・拡散炉一式
シリコンウェハーの酸化および不純物拡散(リンおよびボロン)
φ3インチまでのシリコン基板
イオン打ち込み装置
製造会社 / 型番 VARIAN / 200CF4
仕様 max180kV, 中電流インプラ装置,ガスソースP, B, As,N
Φ3インチまでのSi基板へのイオン打込みが可能
Reactive Ion Etching 装置(非Boschプロセス)
製造会社 / 型番 サムコ社 / RIE-10NR
仕様 CF4, O2, SF6を用いたレジストアッシングや,SiおよびSiO2,石英ガラス,窒化膜のエッチング
Φ6インチまでのガラス及びシリコン基板に対応
Deep Reactive Ion Etching装置(Boschプロセス)
製造会社 / 型番 住友精密工業 / Multiplex-ASE-SRE-SE
仕様 φ3インチ シリコン用(金属剥き出しサンプルは禁止)
気相フッ酸エッチング装置
製造会社 / 型番 – / –
仕様 自作(シリコンMEMS用の犠牲層SiO2エッチング)
φ3インチまで
ダイシング装置
製造会社 / 型番 岡本工作 / ADM-6DBV
仕様 φ6インチ以下基板のダイシング加工
被切断材質はシリコン,GaAs,石英基板,サファイア等
電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)(電子線後方散乱回折(EBSD)付属)
製造会社 / 型番 日本電子 / JSM-7000FOA
仕様 ショットキー電界放出電子銃,
EBSD付属,
分析時分解能 3.0nm,加速電圧0.5~30kV
試料:最大32mmφ
デジタルマイクロスコープ
製造会社 / 型番 Keyence / VHX-600および,フリーアングル(斜め)低倍観察VH-5500 など
仕様 測微機能および3次元表示機能付きデジタルマイクロスコ-プ
材料は不問,サイズはステージに載ればOK
エリプソメーター
製造会社 / 型番 ガ-トナ- / LSE
仕様 シリコン酸化膜あるいはSiN膜等の単層あるいは2層膜の膜厚測定
φ6インチ以下基板
表面形状測定器(段差計)
製造会社 / 型番 KLA-Tencor社 / アルファーステップIQZ(クリーンルーム内)
仕様 触針段差計,材料は不問
φ4インチ程度
非接触3次元表面形状・粗さ測定機
製造会社 / 型番 Zygo社 / NewView 7300システム(含:フィルム,動的オプション)白色干渉計
仕様 材料は不問
サイズはステージに載ればOK
シート抵抗測定器
製造会社 / 型番 エヌピイエス社 / Σ-5+
仕様 不純物拡散層および金属薄膜抵抗測定
260mm幅のステージに載れば測定可能
1.000mΩ/□~5000.0KΩ/□を約1sで測定
ライフタイム測定装置
製造会社 / 型番 コベルコ / LTA-100EP
仕様 μ-PCD法によるシリコンウェハ-中の少数キャリアライフタイム測定
φ6インチ基板までのポイントおよびマッピング測定可能
走査型プローブ顕微鏡
製造会社 / 型番 SII-NT製 / SPA400
仕様 AFM, DFM, pA測定可能
小片~10mm角程度の基板
多目的X線回折装置 一式
製造会社 / 型番 リガク / RINT TTR-3,R-AXIS,Nanoviewer,R-AXIS VII,
仕様 材料制限は少ない(要相談)
mmサイズから計測可能
製造会社 / 型番 マックサイエンス / DIP1000
仕様 材料制限は少ない(要相談)
mmサイズから計測可能
フーリエ変換型赤外分光光度計 一式
製造会社 / 型番 Varian / FTS7000
日本分光 / FT/IR-510,FT/IR-6100FV
仕様 材料制限は少ない(要相談)
mmサイズから計測可能
温度ジャンプなどによる結晶化仮定のの追跡も可能
サブ秒での高速測定可能
ラマン分光装置 一式
製造会社 / 型番 レニショー / inVia Reflex
日本分光 / NRS-2100
仕様 マッピング可能(最少100nmステップ)
試料サイズ mm~cm
マスクレス露光装置
製造会社 / 型番 (株)大日本科研 / MX-1204
仕様 φ4インチにポジ型フォトレジスト(膜厚1μm以上)に、2μm幅のラインアンドスペースを全面(外周3mm除く)に描いたときに、描画時間が30分程度
露光パターン幅のバラツキが100 nm(1σ)以下