_東京大学 超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点/大規模集積システム設計教育研究センター – 装置リスト


高速大面積電子線描画装置
製造会社 / 型番 ADVANTEST / F5112+VD01
仕様

カケラから8インチ丸基板までの任意形状に対応
マスク・ウエーハ自動現像装置群
製造会社 / 型番 EVG / EVG101(現像装置) , – / APTCON(エッチング）
仕様

EVG101は5”マスクならびに3～8”ウエーハ現像可
光リソグラフィ装置
製造会社 / 型番 UNION / PEM800
仕様

（両面4”）
4インチ高真空EB蒸着装置
製造会社 / 型番 – / –
仕様

自作NSP．4”装置．
抵抗加熱と電子線（EB)加熱とが可能
シリコン深掘りエッチング装置
製造会社 / 型番 Alcatel / MS-100
仕様

4”装置
100nmクラス開口特殊レシピ有
反応性プラズマエッチング装置
製造会社 / 型番 ULVAC / CE-300I
仕様

ULVAC CE-300I 4”誘導性プラズマエッチング装置
形状・膜厚・電気・機械特性評価装置群
製造会社 / 型番 Keyence / Laser顕微鏡
仕様

DektakXTS,NanoSpec,Suss8”プローバ,MSA-500
クリーンドラフト潤沢超純水付
製造会社 / 型番 – / –
仕様

クリーンルーム1にはアルカリ2台，酸1台，有機1台，
クリーンルーム2にはアルカリ2台，酸2台，有機1台ある．
全てに潤沢な超純水を取れる口がある．
ブレードダイサー
製造会社 / 型番 – / DAD340
仕様

ブレード，汎用
ステルスダイサー
製造会社 / 型番 – / DFL7340
仕様

ステルス・Si用
精密研磨装置
製造会社 / 型番 Logitec / –
仕様

4″化学研磨装置
川崎ブランチスパッタリング装置
製造会社 / 型番 芝浦メカトロニクス / CFS-4EP-LL
仕様

φ200以下のシリコン，ガラス専用
川崎ブランチECRスパッタリング装置
製造会社 / 型番 エリオニクス / EIS-230W
仕様

φ200以下のシリコン，ガラス専用．
川崎ブランチ化合物用エッチング装置
製造会社 / 型番 エリオニクス / EIS-230W
仕様

φ100以下の基板用
化合物半導体基板(GaAs, InP, GaN等）
集積回路パターン微細加工（FIB）装置
製造会社 / 型番 – / DCG P2X
仕様

LSI配線を効率的に修正できる．ガスを利用した金属配線カット，絶縁膜堆積，金属配線堆積が可能．