ケミカルプロセス装置群
1.イオン注入装置
製造会社 / 型番 | ULVAC / IMX-3500 |
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仕様 | B(ボロン),P(リン),Ar(アルゴン)のイオン注入 加速電圧:30~200kV ドーズ量:1E12~1E16/cm2 対応試料:~4”Φ |
2.酸化炉
製造会社 / 型番 | リネア / LD-410V |
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仕様 | ドライ酸化,アンモニア酸化によるSi基板の熱酸化 昇温可能範囲:~1100℃ 対応試料:2”Φ×10,4”Φ×10 |
3.拡散炉
製造会社 / 型番 | リネア / LD-410V |
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仕様 | アニール,シンタリング等熱処理 昇温可能範囲:~1100℃ 対応試料:2”Φ×10,4”Φ×10 |
4.スパッタ
製造会社 / 型番 | ANELVA / EB1100 |
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仕様 | Al系薄膜のスパッタリング(Ar) RF出力範囲:~800W 昇温可能範囲:~300℃ 電極間距離:100~150mm 対応試料:2”Φ×8,4”Φ×3 |
5.リアクティブイオンエッチャー
製造会社 / 型番 | samco / RIE-10NR |
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仕様 | Si系薄膜の反応性イオンエッチング,レジストのアッシング等 RF出力:~300W 対応試料:2”Φ×7,3”Φ×4,4”Φ×3,6”Φ×1,8”Φ×1 各種不定形試料 |
6.プラズマCVD
製造会社 / 型番 | samco / PD-220 |
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仕様 | Si系薄膜の堆積 基板加熱:~350℃ RF出力:~300W 対応試料:2”Φ×7,3”Φ×4,4”Φ×3,6”Φ×1,8”Φ×1 各種不定形試料 |
7.減圧CVD
製造会社 / 型番 | samco / LPD-1200 |
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仕様 | ポリシリコン堆積 昇温可能範囲:~1100℃ 対応試料:2”Φ×20,4”Φ×25 |
8.超純水製造装置
製造会社 / 型番 | 日本ミリポア / Milli-Q Integral 10 |
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仕様 | 超純水の供給(能力:1.2L/分) 抵抗率:18.3MΩ・cm TOC:0~5ppb |
リソグラフィ装置群
9.レーザービーム描画装置
製造会社 / 型番 | Heiderberg / DWL-66 |
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仕様 | フォトレジスト直接描画 レーザー源:He-Cd(λ=442nm) 描画エリア:~150mm×150mm 線幅:0.8μm~ 対応基板50mm~150mm |
10.スピンコーター
製造会社 / 型番 | ミカサ / MS-A150 |
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仕様 | フォトレジスト等の回転塗布 対応試料:~4”Φ |
11.コータ/ディベロッパ
製造会社 / 型番 | リソテック / CB-50 |
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仕様 | フォトレジスト塗布,現像 近接式クーリングプレート×2 近接式ホットプレート×2 レジストコートカップ×1 現像カップ×1 ウェハ搬送アーム×2 対応試料:2”Φ オート,マニュアル選択可 |
12.マスクアライナー
製造会社 / 型番 | ミカサ / MA-10 |
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仕様 | 紫外線によるパターン転写 露光:コンタクト式露光 対応試料:~4”Φ 対応マスク乾板:2.5”□,5”□ |
13.ステッパ
製造会社 / 型番 | Ultratech / 1500MVS |
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仕様 | 紫外線によるパターン転写 露光:投影式ステップリピート 対応試料:2“Φ,4”Φ 対応レチクル:5インチ□ 線幅:0.8μm~ 位置合せ精度:±0.3μm 焦点深度:3μm |
14.膜厚測定器
製造会社 / 型番 | 大日本スクリーン / VM-1020 |
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仕様 | 光干渉縞測定による膜厚計測 対応試料:2”Φ~8”Φ |
組立測定装置群
15.電子顕微鏡
製造会社 / 型番 | 日立製作所 / S-3400N+EDX |
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仕様 | 反射電子,二次電子検出による試料外観,断面の観察 対応試料:~8”Φ 倍率:x5~x300,000 加速電圧:0.3~30kV 分解能:3nm~ |
16.比抵抗測定器
製造会社 / 型番 | 国際電気 / VR-30B |
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仕様 | 抵抗率,シート抵抗等の測定 対応試料:~4”Φ 四探針式測定 |
17.ダイシングソー
製造会社 / 型番 | DISCO / DAD322 |
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仕様 | Siウェハ及び難切削材ワークのダイシング 対応試料:2”Φ~6”Φ 最大対応ブレード径:58㎜Φ スピンドル回転範囲:3000~40000r.p.m |
18.ボンディング装置
製造会社 / 型番 | WESTBOND / 7200CR,747677E |
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仕様 | ICチップのダイボンディング ICチップとパッケージ間の結線 ワイヤー材質:Au,Al ワイヤー径:25μm ボンディング方式:ワイヤー,ウェッジ 温度制御:室温~300℃ X-Y-Z 3軸マニピュレータ方式 |
19.恒温恒湿槽
製造会社 / 型番 | タバイエスペック / PL-3STH |
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仕様 | ICチップの信頼性評価 調温範囲:-20~100℃ 調湿範囲:0~100% 槽内容積:408L(W600H850D800mm) |