_北九州産業学術推進機構 共同研究開発センター – 装置リスト

ケミカルプロセス装置群
1.イオン注入装置
製造会社 / 型番 ULVAC / IMX-3500
仕様 B(ボロン),P(リン),Ar(アルゴン)のイオン注入
加速電圧:30~200kV
ドーズ量:1E12~1E16/cm2
対応試料:~4”Φ
2.酸化炉
製造会社 / 型番 リネア / LD-410V
仕様 ドライ酸化,アンモニア酸化によるSi基板の熱酸化
昇温可能範囲:~1100℃
対応試料:2”Φ×10,4”Φ×10
3.拡散炉
製造会社 / 型番 リネア / LD-410V
仕様 アニール,シンタリング等熱処理
昇温可能範囲:~1100℃
対応試料:2”Φ×10,4”Φ×10
4.スパッタ
製造会社 / 型番 ANELVA / EB1100
仕様 Al系薄膜のスパッタリング(Ar)
RF出力範囲:~800W
昇温可能範囲:~300℃
電極間距離:100~150mm
対応試料:2”Φ×8,4”Φ×3
5.リアクティブイオンエッチャー
製造会社 / 型番 samco / RIE-10NR
仕様 Si系薄膜の反応性イオンエッチング,レジストのアッシング等
RF出力:~300W
対応試料:2”Φ×7,3”Φ×4,4”Φ×3,6”Φ×1,8”Φ×1
各種不定形試料
6.プラズマCVD
製造会社 / 型番 samco / PD-220
仕様 Si系薄膜の堆積
基板加熱:~350℃
RF出力:~300W
対応試料:2”Φ×7,3”Φ×4,4”Φ×3,6”Φ×1,8”Φ×1
各種不定形試料
7.減圧CVD
製造会社 / 型番 samco / LPD-1200
仕様 ポリシリコン堆積
昇温可能範囲:~1100℃
対応試料:2”Φ×20,4”Φ×25
8.超純水製造装置
製造会社 / 型番 日本ミリポア / Milli-Q Integral 10
仕様 超純水の供給(能力:1.2L/分)
抵抗率:18.3MΩ・cm
TOC:0~5ppb
リソグラフィ装置群
9.レーザービーム描画装置
製造会社 / 型番 Heiderberg / DWL-66
仕様 フォトレジスト直接描画
レーザー源:He-Cd(λ=442nm)
描画エリア:~150mm×150mm
線幅:0.8μm~
対応基板50mm~150mm
10.スピンコーター
製造会社 / 型番 ミカサ / MS-A150
仕様 フォトレジスト等の回転塗布
対応試料:~4”Φ
11.コータ/ディベロッパ
製造会社 / 型番 リソテック / CB-50
仕様 フォトレジスト塗布,現像
近接式クーリングプレート×2
近接式ホットプレート×2
レジストコートカップ×1
現像カップ×1
ウェハ搬送アーム×2
対応試料:2”Φ
オート,マニュアル選択可
12.マスクアライナー
製造会社 / 型番 ミカサ / MA-10
仕様 紫外線によるパターン転写
露光:コンタクト式露光
対応試料:~4”Φ
対応マスク乾板:2.5”□,5”□
13.ステッパ
製造会社 / 型番 Ultratech / 1500MVS
仕様 紫外線によるパターン転写
露光:投影式ステップリピート
対応試料:2“Φ,4”Φ
対応レチクル:5インチ□
線幅:0.8μm~
位置合せ精度:±0.3μm
焦点深度:3μm
14.膜厚測定器
製造会社 / 型番 大日本スクリーン / VM-1020
仕様 光干渉縞測定による膜厚計測
対応試料:2”Φ~8”Φ
組立測定装置群
15.電子顕微鏡
製造会社 / 型番 日立製作所 / S-3400N+EDX
仕様 反射電子,二次電子検出による試料外観,断面の観察
対応試料:~8”Φ
倍率:x5~x300,000
加速電圧:0.3~30kV
分解能:3nm~
16.比抵抗測定器
製造会社 / 型番 国際電気 / VR-30B
仕様 抵抗率,シート抵抗等の測定
対応試料:~4”Φ
四探針式測定
17.ダイシングソー
製造会社 / 型番 DISCO / DAD322
仕様 Siウェハ及び難切削材ワークのダイシング
対応試料:2”Φ~6”Φ
最大対応ブレード径:58㎜Φ
スピンドル回転範囲:3000~40000r.p.m
18.ボンディング装置
製造会社 / 型番 WESTBOND / 7200CR,747677E
仕様 ICチップのダイボンディング
ICチップとパッケージ間の結線
ワイヤー材質:Au,Al
ワイヤー径:25μm
ボンディング方式:ワイヤー,ウェッジ
温度制御:室温~300℃
X-Y-Z 3軸マニピュレータ方式
19.恒温恒湿槽
製造会社 / 型番 タバイエスペック / PL-3STH
仕様 ICチップの信頼性評価
調温範囲:-20~100℃
調湿範囲:0~100%
槽内容積:408L(W600H850D800mm)