_物質・材料研究機構 NIMS微細加工プラットフォーム – 装置リスト

ナノリソグラフィー装置群
100kV電子ビーム描画装置
製造会社 / 型番 エリオニクス社製 / ELS-7000
仕様 最大加速電圧:100kV
最小ビーム径:1.8nm
最大試料寸法:φ6インチ
ナノインプリント装置
製造会社 / 型番 東芝機械社製 / ST50
仕様 UVインプリント方式
最大試料寸法:φ4インチ
マイクロリソグラフィー装置群
レーザー露光装置
製造会社 / 型番 ナノシステムソリューションズ社製 / DL-1000
仕様 光源:405nm半導体レーザー
最小解像度:1μm
最大試料寸法:4インチ角
マスクアライナー
製造会社 / 型番 ズースマイクロテック社製 / MA6-BSA
仕様 最小解像度:1μm
最大試料寸法:φ6インチ
両面露光機能装備
スパッタ装置群
全自動スパッタ装置
製造会社 / 型番 アルバック社製 / Jsputter
仕様 サイドスパッタ方式
RF/DC共用4元カソード
最大試料寸法:φ6インチ
超高真空スパッタ装置
製造会社 / 型番 ビームトロン社製 / –
仕様 TS直上スパッタ方式
RF/DC共用4元カソード
最大試料寸法:φ3インチ
金属蒸着装置群
12連電子銃型蒸着装置
製造会社 / 型番 アールデック社製 / RDEB-1206K
仕様 12連ハースライナー搭載
到達真空度:1e-5Pa以下
最大試料寸法:φ6インチ
超高真空電子銃型蒸着装置
製造会社 / 型番 エイコーエンジニアリング社製 / –
仕様 5連ハースライナー搭載
到達真空度:1e-7Pa以下
最大試料寸法:φ3インチ
絶縁膜堆積装置群
原子層堆積装置
製造会社 / 型番 Picosun社製 / SUNALE R-100B
仕様 トップフロー方式
Al2O3, HfO2成膜
最大試料寸法:φ4インチ
プラズマCVD装置
製造会社 / 型番 サムコ社製 / PD-220NL
仕様 TEOS原料SiO2成膜
電源出力:30~300W
最大試料寸法:φ8インチ
ドライエッチング装置群
多目的ドライエッチング装置
製造会社 / 型番 サムコ社製 / RIE-200NL
仕様 平行平板型プラズマ励起
プロセスガス:フッ素系,O2,Ar
最大試料寸法:φ8インチ
化合物ドライエッチング装置
製造会社 / 型番 サムコ社製 / RIE-101iPH
仕様 誘導結合型プラズマ励起
プロセスガス:塩素系,O2,Ar
最大試料寸法:φ3インチ
シリコン深堀エッチング装置
製造会社 / 型番 住友精密工業社製 / ARE-SRE
仕様 ボッシュプロセス方式
プロセスガス:SF6,C4F8,O2,Ar
最大試料寸法:φ3インチ
酸化膜ドライエッチング装置
製造会社 / 型番 住友精密工業社製 / RV-APS-SE
仕様 誘導結合型プラズマ励起
プロセスガス:フッ素系,O2,Ar
最大試料寸法:φ6インチ
FIB-SEMダブルビーム装置
製造会社 / 型番 SIIナノテクノロジー社製 / Xvision200DB
仕様 FIB/SEM加速電圧:1~30kV
カーボンデポジションシステム
マイクロプロービングシステム
最大試料寸法:φ6インチ
観察・評価装置群
走査型電子顕微鏡
製造会社 / 型番 日立ハイテクノロジーズ社製 / S-4800
仕様 加速電圧:0.1~30kV
リターディング機能搭載
最大試料寸法:φ6インチ
原子間力顕微鏡
製造会社 / 型番 SIIナノテクノロジー社製 / L-traceⅡ
仕様 分解能:垂直0.01nm/水平0.5nm
測定モード:AFM, DFM, FFM, SIS
最大試料寸法:φ6インチ
3次元測定レーザー顕微鏡
製造会社 / 型番 オリンパス社製 / LEXT OLS4000
仕様 光源:405nm半導体レーザー
分解能:XY:0.12um, Z:0.01um
最大試料寸法:4インチ角
切削・研磨装置群
ダイシングソー
製造会社 / 型番 ディスコ社製 / DAD322
仕様 ダイヤモンドブレード切削方式
各種シリコン/石英/サファイア基板
最大試料寸法:φ6インチ
自動スクライバー
製造会社 / 型番 ダイトロンテクノロジー社製 / DPS-301R
仕様 ダイヤモンドポイントスクライブ方式
化合物半導体/各種シリコン基板
最大試料寸法:φ4インチ
CMP研磨装置
製造会社 / 型番 Logitech社製 / PM5
仕様 ブレード径:φ12インチ
ブレード材質:ガラス, 鉄, クロス
最大試料寸法:φ3インチ
電気計測装置群
室温プローバーシステム
製造会社 / 型番 ベクターセミコン社製 / MX-200
アジレント社製 / B1500A搭載
仕様 I-V測定/C-V測定
最大試料寸法:φ4インチ
極低温プローバーシステム
製造会社 / 型番 ナガセテクノエンジニアリング社製 / GRAIL10-308-6-4K-LV-SCM
ケースレーインスツルメンツ社製 / 4200-SCS
仕様 測定温度:5K~室温
I-V測定/C-V測定
最大試料寸法:20mm角
ワイヤーボンダー
製造会社 / 型番 West Bond社製 / 7476D
仕様 超音波ウェッジボンド方式
ワイヤー材質:金線,アルミ線
ワークホルダー温度:300度以下