11月30日開催「薄膜実践セミナーⅢ」のご案内

産業技術総合研究所ナノプロセシング施設(NPF) は、「薄膜実践セミナーⅢ」を
2017年11月 30日(木)産業技術総合研究所つくば中央にて開催いたします。
前半は、スパッタ堆積法による機能性薄膜、後半は原子層堆積法(ALD)の成膜
技術について講 演していただく予定です。オーサーズ・インタビューの時間を設けましたので、
講師の方々に個別 に質問をすることが可能です。

また、有料実習コースでは、NPFの装置を使用してSrTiO3誘電体薄膜形成と
その結晶性・電気 特性評価などを盛り込んだ機能性酸化物開発の基礎的なスキルを
獲得していただけるコースを準 備いたしました。産学官いずれのご所属の方にも奮っての
ご参加をお待ちしています。
(※セミナー講演のみ、実習コースのみの参加申し込みも可能です。)

講演

日時 2017年11月30日(木)12:55-17:20
場所 産業技術総合研究所つくば中央 本部・情報棟1Fネットワーク会議室
http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html
参加費 無料
定員 100 名(先着順、参加登録をお願いします)
セミナー案内/
申し込み
https://ssl.open-innovation.jp/npf/training/h29-4/index.html
講演プログラム
12:55-13:00
「はじめに」 産総研 共用施設ステーション 多田哲也
13:00-13:40
スピントロニクスを支える高性能強磁性トンネル接合の多層膜開発
産総研スピントロニクス研究センター 薬師寺啓
13:40-14:10
ECRスパッタ成膜によるMIS構造形成
弘前大学大学院 小野敏郎
14:10-14:50
酸化物系材料に向けたスパッタリング技術
株式会社ULVAC 白井雅紀
14:50-15:10
RFスパッタ法による酸化物薄膜形成技術
-堆積レート安定化の事例紹介-
産総研TIA推進センター 青柳昌宏
15:10-15:30
休憩(オーサーズインタビュー)
15:30-16:10
原子層堆積技術の概観と最近の開発状況
オックスフォードインストゥルメンツ株式会社 伊藤昌平
16:10-16:40
ALDプリカーサーの開発と近年の動向
日本エア・リキード株式会社 柳田和孝
16:40-17:00
NPFの原子層堆積(ALD)装置による成膜紹介
~Al2O3ゲート絶縁膜、TiO2酸化物チャンネル、ZrO2成膜~
産総研ナノプロセシング施設 山崎将嗣
17:00-17:20
オーサーズインタビュー
実習コース 日時:平成29年12月~平成30年1月の間の3日間
  (参加者と調整します。)
場所:産業技術総合研究所つくば中央2-12棟ナノプロセシング施設(NPF)
参加費:50,000円/人 【定員】3名(同時に実施します)
案内・申し込み:https://ssl.open-innovation.jp/npf/training/h29-4/index.html
主催:産業技術総合研究所 ナノプロセッシング施設(NPF)
共催:ナノエレクトロニクス計測分析技術 研究会(TSC)
電子メール:tia-npf-school4@aist.go.jp