第32回半導体プロセス実習・講習会(2018/9/13~14)

 企業,研究機関,高校・大学で半導体プロセスに興味をお持ちの方々を対象に,クリーンルーム及び一連の設備を使った体験学習を通して,半導体プロセスの理解を深めていただきます.実習では,半導体プロセスの理解を深めると共に熱電対デバイスを製作する内容になっており,講義では,車載・人検出センサへの応用を目指すMEMSセンサと,窒化ガリウムを中心とする化合物半導体デバイスを取り上げました.

概要

開催日時 1日目…2018年9月13日(木) 9:30~17:10
2日目…2018年9月14日(金) 9:30~17:10
(予備日:2018年9月15日(土) 9:30~17:10…天候等により中止になった場合の振替日とします)
場所 豊田工業大学 南棟ホール(5階)
共同利用クリーンルーム 他
交通アクセス
主催 豊田工業大学
定員 実習は1日目、2日目とも各24名
参加申し込み お申し込みはこちらから:参加申込フォーム
申し込み締め切り:7月31日(火)
  定員になり次第、締め切らせていただきます。
  キャンセルされる場合は9月6日(木)までにお知らせください。
概要 講義1
MEMSセンサと製作プロセス
-車載・人検出センサ-
〔教授 佐々木 実〕


 [場所]南棟ホール(5階)
 [内容]電子情報機器と組み合わされたセンサ類が、機械システムの知能化と共に新機能・応用を生み出している。加速度・ジャイロセンサによるゲーム機操作や各種機器操作のサポート、赤外線センサの人検出によるエアコンの省エネ運転などである。これら応用を技術的に可能にするのがMEMSセンサで、材料に加えて構造により機能を高度化する。半導体微細加工をベースに、高い生産性と共に製作される。実習で製作する熱電対を中心にして、原理、応用、製作プロセスを説明する。

講義2
省エネルギー社会を支える化合物半導体デバイス
〔教授 岩田 直高〕


 [場所]南棟ホール(5階)
 [内容]窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体は、光デバイスとして発光ダイオードが照明器具に、そして電子デバイスとしては高出力トランジスタが携帯電話基地局の送信用パワーアンプに広く使用され、従来のデバイスでは実現できなかったシステムの省電力化を果たしている。一方、結晶や製作プロセスの技術は、シリコンデバイスのそれとは大きく異なるとともに、解決すべき課題も残されている。ここでは、GaNトランジスタを中心に、製作プロセスの基礎とデバイスの動作原理を説明する。加えて、今後の技術開発の方向性を示す。

実習のオリエンテーション

 [場所]南棟ホール(5階)
 [内容]半導体プロセスと本学のクリーンルームの構成との関連、半導体プロセスの概略工程、および実習内容、実施方法について簡単に説明する。

半導体プロセスの実習

 [場所]クリーンルーム:東棟1階 実験室:東棟2階
 [内容]熱電対デバイスを製作すると共に、酸化・拡散、リソグラフィ(ホト・電子線描画)、PVD(Physical Vapor Deposition)、薄膜のウェットエッチング、およびRIE (Reactive Ion Etching)、等の一連のプロセスを実習する。熱電対特性と、ホール係数測定の実習も行う。
関連リンク https://www.toyota-ti.ac.jp/event/stydy/000655.html
お問合せ先 研究支援部 研究協力グループ 安田
[TEL](052)809-1723
[E-MAIL]sympo★toyota-ti.ac.jp までお送りください。(★をアットマークに変更してください)