利用事例・加工事例

タイトル マイクロトレンチ等への薄膜形成
概要 バイアススパッタ法を用いてトレンチ内部への金属薄膜（鉄）の形成
Si基板へ深掘エッチング装置によりトレンチ（幅：50μm、アスペクト比：＞3）を形成、UHV10元スパッタ装置を用い、バイアススパッタ法により、トレンチ内部への金属薄膜（鉄）の形成を行った。
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支援機関 山口大学
技術分野・応用分野 マテリアルサイエンス
プロセス分類 成膜・膜堆積、膜加工・エッチング
材料 シリコン（Si）
利用課題番号
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